二维 FFT,2D FFT,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) 2D FFT

二维 FFT

2) two dimension FFT

二维FFT

3) 2D FFT

二维FFT

Optimal 2D FFT algorithm based on intel SIMD instructions;

基于Intel SIMD指令的二维FFT优化算法

2D FFT for the ultra long points is now needed in high speed real time signal procession system.

由于高速实时信号处理对大点数FFT的需要,很多设计都采用将大点数的一维序列转化为矩阵的二维FFT方法来满足这一点,有的方法甚至将二维FFT的结果继续二维处理从而只要处理更短的FFT序列,然而这样一来使得控制部分的逻辑变得非常复杂,很不利于FPGA的有效实现。

4) 2-D FFT

二维FFT

The circular interferogram must be spread into square region when interferogram is disposed by using 2-D FFT arithmetic, which is applied only to numeric disperse data and requires square distributing region.

用二维FFT方法处理干涉图时,由于FFT算法只能处理数字化的离散数据,且要求数据分布区域必须是矩形区域,因此必须设法将圆形区域干涉图扩展延拓成矩形区域。

5) two dimensional FFT

二维FFT

The algorithm of two dimensional FFT is analyzed in this paper.

分析了二维FFT的快速算法 ,提出了在TMS32 0C6 70 1评估板上的高速实现方法 ,通过实验验证了该方法 ,并讨论了在多片DSP上的并行实现方

6) two-dimensional FFT

二维FFT

From the MSAR echoes model,a method of raw-data simulation in the frequency domain by two-dimensional FFT is proposed and the evaluating of MSAR clutter space-time covariance matrix is made.

从多通道SAR回波模型出发,提出了一种基于二维FFT的多通道SAR原始数据频域模拟方法,并根据该方法模拟出的多通道数据,对空时二维协方差矩阵进行了估计。

The algorithms to process interferogram with closed fringes are studied in this thesis based on fringe coordinate transform method and two-dimensional FFT method.

本文针对闭合干涉条纹的处理,研究了基于坐标变换的条纹中心法和二维FFT法的算法及关键技术。

参考词条

DIT-FFT FFT（FastFourierTransform） Zoom-FFT FFT-ACF post-FFT FFT法 IFFT/FFT Chirp-fft DFT/FFT FFT/IFFT FFT谱 FFT pruning Winograd FFT 快FFT CG-FFT PRE-FFT 固体浅盘发酵地需活动性

补充资料：一维和二维固体

　　某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS₃、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS₂等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF₅的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF₃、二维的CoCl₂石墨夹层）等。
　　
　　当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
　　
　　近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
　　
　　一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
　　
　　二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，R_H是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
　　
　　对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
　　
　　1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
　　
　　二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) 2D FFT 二维 FFT 2) two dimension FFT 二维FFT 3) 2D FFT 二维FFT 1. Optimal 2D FFT algorithm based on intel SIMD instructions; 基于Intel SIMD指令的二维FFT优化算法 2. 2D FFT for the ultra long points is now needed in high speed real time signal procession system. 由于高速实时信号处理对大点数FFT的需要,很多设计都采用将大点数的一维序列转化为矩阵的二维FFT方法来满足这一点,有的方法甚至将二维FFT的结果继续二维处理从而只要处理更短的FFT序列,然而这样一来使得控制部分的逻辑变得非常复杂,很不利于FPGA的有效实现。 4) 2-D FFT 二维FFT 1. The circular interferogram must be spread into square region when interferogram is disposed by using 2-D FFT arithmetic, which is applied only to numeric disperse data and requires square distributing region. 用二维FFT方法处理干涉图时,由于FFT算法只能处理数字化的离散数据,且要求数据分布区域必须是矩形区域,因此必须设法将圆形区域干涉图扩展延拓成矩形区域。 5) two dimensional FFT 二维FFT 1. The algorithm of two dimensional FFT is analyzed in this paper. 分析了二维FFT的快速算法 ,提出了在TMS32 0C6 70 1评估板上的高速实现方法 ,通过实验验证了该方法 ,并讨论了在多片DSP上的并行实现方 6) two-dimensional FFT 二维FFT 1. From the MSAR echoes model,a method of raw-data simulation in the frequency domain by two-dimensional FFT is proposed and the evaluating of MSAR clutter space-time covariance matrix is made. 从多通道SAR回波模型出发,提出了一种基于二维FFT的多通道SAR原始数据频域模拟方法,并根据该方法模拟出的多通道数据,对空时二维协方差矩阵进行了估计。 2. The algorithms to process interferogram with closed fringes are studied in this thesis based on fringe coordinate transform method and two-dimensional FFT method. 本文针对闭合干涉条纹的处理,研究了基于坐标变换的条纹中心法和二维FFT法的算法及关键技术。参考词条 DIT-FFT FFT（FastFourierTransform） Zoom-FFT FFT-ACF post-FFT FFT法 IFFT/FFT Chirp-fft DFT/FFT FFT/IFFT FFT谱 FFT pruning Winograd FFT 快FFT CG-FFT PRE-FFT 固体浅盘发酵地需活动性补充资料：一维和二维固体　　某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS₃、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS₂等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF₅的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF₃、二维的CoCl₂石墨夹层）等。　　　　当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。　　　　近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。　　　　一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。　　　　二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，R_H是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。　　　　对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。　　　　1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。　　　　二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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