1) biasing of subthreshold domain
亚阈区偏置
2) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
3) Subthreshold Region
亚阈值区
1.
Biasing Reference Circuit Working in Subthreshold Region-Peaking Current Mirror;
工作于亚阈值区的偏置基准电路-峰值电流镜
2.
MOSFETs in the middle stage of the OTA work in subthreshold region.
本文报道了一种新颖的 CMOS运算跨导放大器 ( OTA) ,OTA的设计核心 MOSFET工作在亚阈值区 。
5) model of subthreshold region
亚阈区模型
6) subthreshold mode
亚阈区模式
补充资料：偏置屈服应力
分子式：
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条