1) sub-threshold slope
亚阈斜率
1.
In this paper,the high- k gate dielectric thickness was determined by research of the gate tunnel current of MOSFET and a series of electronic characteristics of MOSFET with high- k gate dielectrics,such as threshold voltage,sub-threshold slope and I dsat / I off ,are analyzed and researched using PISCES-Ⅱ simulation in detail.
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。
2) slope threshold
斜率阈值
1.
The distribution dimension of delay embedded heart rate variability based on slope threshold primary component analysis;
基于斜率阈值主分量分析的心率变异性相空间分布维数
3) slope-threshold arithmetic
斜率阈值法
4) optimal slope threshold
最优斜率阈值
1.
An approximate optimal slope threshold.
建立统计模型预测最优率失真斜率阈值,并将其作为层一编码门限值,根据生成码流长度自适应调整该值,获得近似的最优斜率阈值,层二在该值基础上搜索最优率失真斜率阈值和最优截断点以实现码率控制。
5) sub-threshold
亚阈值
1.
To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.
为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0。
2.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。
3.
The design adopts MOS transistor working at sub-threshold region to enhance robust of circuit.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。
6) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
补充资料：斜率
分子式：
CAS号：
性质：一直线与x轴的交角α的正切。如果y=f(x)是曲线C的直角坐标系方程，则C在P(x0，y0)处的斜率为。在化学实验中，斜率表示了实验指标随因素的变化速率和灵敏度。
CAS号：
性质：一直线与x轴的交角α的正切。如果y=f(x)是曲线C的直角坐标系方程，则C在P(x0，y0)处的斜率为。在化学实验中，斜率表示了实验指标随因素的变化速率和灵敏度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条