1) oxide hole-traps
氧化层空穴俘获
1.
Based on the two-step interface trap buildup model and the statistical thermodynamics mechanism of point defects in solids, a relation between the radiation induced increase of oxide hole-traps and the buildup of interface traps in MOSFET is proposed.
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式。
2) captured hole
俘获空穴
3) hole capture
空穴俘获
4) hole capture
空穴俘获<冶>
5) hole capture
空穴俘虏
6) Hole oxidation
空穴氧化
补充资料：二氧化双环戊二烯玻璃布层合板
分子式：
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条