1) K capture
K-层电子俘获
2) K-capture
K层电子俘获[能]
3) K-capture
K层电子俘获
4) K-electron capture
K电子俘获
5) E-capture
E层电子俘获[冶]
6) electron trapping
电子俘获
1.
Methods of electron trapping correction in CdZnTe coplanar-grid detector;
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法
2.
In conclusion, electron trapping material is.
用固相反应法制备了SrS :Eu ,Sm电子俘获材料 ,根据电子俘获材料可存储、可擦除及饱和特性等实现了在图像存储、布尔逻辑运算及图像微分等方面的应用 。
3.
The rare earth electron trapping optical storage is new type storage technology.
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术,它突破了现有的光存储介质的存储机制,可实现大密度稳定可重复擦写存储。
补充资料：电子俘获
一般分成两类。一类是原子或离子通过媒质时获得电子的机制。这是原子和离子在媒质中损失动能并减速的重要原因，从而影响入射的原子和离子在媒质中的射程。当入射的带电粒子的速度和媒质中电子的速度具有相同量级时，发生电子俘获的几率较大，因此在粒子射程的末端，电子俘获的发生较为频繁。对于带有大量正电荷的裂变碎片，则在它整个减速过程中都有电子俘获发生。中性的氢原子通过轻元素组成的媒质时，单位距离路程的能量损失约为质子在同样情形下能量损失的一半。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条