1) ESD protection circuit
ESD保护电路
1.
The ESD failure modes,failure mechanism and ESD protection circuit are mainly reviewed in the paper.
重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电
2.
An ESD protection circuit for IC cards is described,which is based on CMOS process.
讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。
3.
And an all-chip ESD protection circuit structure for a mixed signal IC was constructed,in which a diode forward biased discharge mode was used to achieve sufficient ESD robustness at small parasitic capacitance.
从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路。
2) On-chip ESD protection circuit
片内ESD保护电路
3) ESD protection
ESD保护
1.
6μm BiCMOS process, because of the different internal base resistance, CEB, CEBE structures have better SNAPNACK effect and a high ESD protection efficiency than CBE, CBEB structures.
6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。
2.
The key problem originates from the complex interaction between the ESD protection circuitry and the core RF IC circuit under protection.
产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应。
3.
In this thesis work, some CMOS on-chip ESD protections are investigated.
本论文主要研究了CMOS工艺中,集成电路片内ESD保护电路的设计。
4) ESD Protection
ESD 保护
1.
This paper presents the complex interactions between the ESD protection network and the core circuit being protected,and RF ESD evaluating technologies,to provide ESD designers with a reference in RF ESD protection design.
本文总结了射频集成电路 ESD 保护网络与核心电路之间复杂的相互作用以及可能造成的各种现象如 ESD 保护网络误触发、ESD 保护结构引起的 dV/dt 触发辅助效应和噪声效应,讨论了射频 ESD 的评估技术以及 ESD 保护结构设计应注意的问题。
2.
This paper presents some new ESD protection structures for RF ICs,including dual-direction and all-mode ESD protection structures,and key aspects on ESD protection design are discussed.
本文介绍了几种新颖的低寄生、紧缩型、多模式射频集成电路 ESD 保护结构,讨论了其工作原理及设计中应注意的问题。
3.
Therefore,the ESD protection of CMOS devices becomes not only so important but also more difficult.
因此,CMOS 器件的 ESD 保护变得既重要,又更加困难。
5) ESD
ESD保护
1.
Four modules are included in the SPDT analog switch, for example, MOS switch circuit, driver circuit, buffer circuit, and ESD protection circuit.
单刀双掷模拟开关电路的设计包括四个模块:MOS开关电路、驱动电路、缓冲电路和ESD保护电路。
2.
This paper describes the layout of TFT-LCD drive chip ESD protection.
描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路。
3.
This paper describes the layout of TFT_LCD driver IC\'s ESD protection.
文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。
补充资料：保护集成电路知识产权的华盛顿公约
《保护集成电路知识产权的华盛顿公约》(TreatyonIntellectualPropertyinRespectofIntegratedCircuits)，简称《华盛顿公约》（WashingtonTreaty），1989年5月26日缔结于美国华盛顿。
《华盛顿公约》共20条。其主要内容包括：联盟的建立；定义；条约的客体；保护的法律形式；国民待遇；保护范围；实施、登记、公开；大会；国际局；修改；巴黎公约和伯尔尼公约的保障；保留；争议的解决；参加；生效；退出；文本；保存人；签字。该公约明确规定，“集成电路”是指一种产品，在它的最终形态或中间形态，是将多个元件，其中至少有一个是有源元件，和部分或全部互连集成在一块材料之中和／或之上，以执行某种电子功能。“布图设计（拓扑图）”是指集成电路中多个元件，其中至少有一个是有源元件，和其部分或全部集成电路互连的三维配置，或者是指为集成电路的制造而准备的这样的三维配置。
《华盛顿公约》规定成员国应对集成电路的布图设计实行注册保护，注册申请无须具有新颖性，集成电路布图设计的所有人在其产品投入商业领域后两年之内提交申请即可，保护期至少为10年。受保护的条件除了“独创性”、“非一般性”之外，还有“非仅仅其有关功能的有限表达方式”。公约还规定了国民待遇，即各成员国对于其他成员国的国民或居民，只能要求与本国国民一样地履行手续，并给予同样的保护。这与诸版权公约中的国民待遇不同，而与《保护工业产权的巴黎公约》相似。
1989年中国成为《华盛顿公约》的成员国。
《华盛顿公约》共20条。其主要内容包括：联盟的建立；定义；条约的客体；保护的法律形式；国民待遇；保护范围；实施、登记、公开；大会；国际局；修改；巴黎公约和伯尔尼公约的保障；保留；争议的解决；参加；生效；退出；文本；保存人；签字。该公约明确规定，“集成电路”是指一种产品，在它的最终形态或中间形态，是将多个元件，其中至少有一个是有源元件，和部分或全部互连集成在一块材料之中和／或之上，以执行某种电子功能。“布图设计（拓扑图）”是指集成电路中多个元件，其中至少有一个是有源元件，和其部分或全部集成电路互连的三维配置，或者是指为集成电路的制造而准备的这样的三维配置。
《华盛顿公约》规定成员国应对集成电路的布图设计实行注册保护，注册申请无须具有新颖性，集成电路布图设计的所有人在其产品投入商业领域后两年之内提交申请即可，保护期至少为10年。受保护的条件除了“独创性”、“非一般性”之外，还有“非仅仅其有关功能的有限表达方式”。公约还规定了国民待遇，即各成员国对于其他成员国的国民或居民，只能要求与本国国民一样地履行手续，并给予同样的保护。这与诸版权公约中的国民待遇不同，而与《保护工业产权的巴黎公约》相似。
1989年中国成为《华盛顿公约》的成员国。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条