1) etching error tolerance
刻蚀容差
1.
A high-temperature superconductivity(HTS) quasi-hairpin filter with high etching error tolerance was developed,which had better characteristics than other structures on the same etching condition.
研制了一种具有良好刻蚀容差性能的类发夹型高温超导滤波器,在同等刻蚀条件下,达得更高的性能指标。
3) Etched depth error
刻蚀深度误差
4) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
5) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
蚀刻
1.
Preparation of metal nanowire arrays with controllable length using a simple etching method;
简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列
2.
Effects on Elaborate Etching of Printed Circuit Board;
印刷线路板精细蚀刻的影响因素
3.
Electrochemistry Etching of Brass Superficial Pattern;
黄铜表面图案的电化学蚀刻
6) Etch
[英][etʃ] [美][ɛtʃ]
蚀刻
1.
A clinical study of tooth hard-tissue etched with pulsed Nd:YAG laser;
脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙齿硬组织的临床研究
2.
Quality Control of Etch Produce in VFD Film Plant;
VFD薄膜基板蚀刻工序的质量控制
3.
The surface of epoxy resin-carbon fiber composite is etched by CrO3-H2SO4 solution,and the morphology of the surface of the composite etched is observed by means of SEM.
简介了碳纤维复合材料(CFRP)材料表面金属化的工艺过程,采用CrO3-H2SO4溶液对CFRP进行蚀刻处理,通过扫描电镜观测经蚀刻处理后的树脂表面的微观形貌,测试了镀层附着力,分析了蚀刻程度与镀层附着力之间的关系。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条