1) 2DEG mobility
二维电子气迁移率
1.
The RT 2DEG mobility is 1350cm2/(V·s) with a sheet resistance of 328Ω/□.
通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V。
2) electron mobility
电子迁移率
1.
Through UV-Vis, XRD, SEM and AFM characterizations, the difference in electron mobility between 1 and 2 can be.
利用空间电荷限制电流(SCLC)法测试了二种氟代苝酰亚胺的电子迁移率,一种是N,N'-二(五氟代苯基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(1),另一种是N,N'-二(1,1-二氢十五氟代辛基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(2)。
2.
An electron mobility of 6×10~4 cm~2/Vs with a carrier density of 2.
结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0。
3.
An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper.
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型。
3) electron drift mobility
电子漂移迁移率
4) Positron mobility
正电子迁移率
5) HEMT
高电子迁移率管
6) electron Hall mobility
电子霍耳迁移率
1.
Analytical model for the electron Hall mobility in the n-type 4H-SiC;
n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型
2.
With analysis of conduction band structure and isotropic relaxation time approximation,an analytical model for the electron Hall mobility and Hall scattering factor of n-type 6H-SiC is proposed.
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响。
补充资料：电子迁移率检测器
分子式：
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条