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1)  electron mobility tensor
电子迁移率张量
2)  ion mobility tensor
离子迁移率张量
3)  electron mobility
电子迁移率
1.
Through UV-Vis, XRD, SEM and AFM characterizations, the difference in electron mobility between 1 and 2 can be.
利用空间电荷限制电流(SCLC)法测试了二种氟代苝酰亚胺的电子迁移率,一种是N,N'-二(五氟代苯基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(1),另一种是N,N'-二(1,1-二氢十五氟代辛基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(2)。
2.
An electron mobility of 6×10~4 cm~2/Vs with a carrier density of 2.
结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0。
3.
An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper.
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型。
4)  electron drift mobility
电子漂移迁移率
5)  Positron mobility
正电子迁移率
6)  HEMT
高电子迁移率管
补充资料:电子迁移率
分子式:
CAS号:

性质:在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。

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