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1)  sacrificial layer material
牺牲层材料
2)  silica gel as the sacrificial material
硅胶牺牲材料
3)  sacrificial layer
牺牲层
1.
A sacrificial layer release-etch model for etching sacrificial silicon dioxide in aqueous HF solutions was presented by Eaton, et al.
Eaton等人曾给出了HF溶液腐蚀Si O2牺牲层的释放腐蚀模型,然而实验中发现该模型并不能较好地符合实验数据。
2.
An instrument was installed to in-situ monitor the etching process of the sacrificial layer SiO2using hydrofluoric acid(HF),which is influenced by such factors as temperature,composition and concentration of the etchant,sacrificial material,residual stresses of the material,etc.
设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析。
3.
The switch was fabricated by UV-LIGA technology using photoresist as a sacrificial layer.
介绍了一种基于UV-LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关,该结构由于使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗,利用牺牲层UV-LIGA技术实现了开关的微制作。
4)  Sacrificial layers
牺牲层
1.
Fabrication of free standing structure using oxidized porous silicon as sacrificial layers;
用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
2.
Sacrificial layers technology is developing towards multiple layers and integration.
指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。
5)  GaAs sacrificial layer
GaAs牺牲层
1.
Meanwhile,the etching rate of GaAs with C6H8O7/H2O2 solution was measured;a DBR(distributed bragg reflector) structure with a GaAs sacrificial layer was selectively etched to make an air cavity,and its etching characteristic was analyzed with the crystal structure of GaAs,which was made a base for the real fabricat.
测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。
6)  sacrifice layer
牺牲层
1.
Pressure sensor technology for sacrifice layer structure
牺牲层结构压力传感器技术
2.
The switch is fabricated by three layer process with Pyrex base as well as UV LI GA and sacrifice layer technology.
设计过程中采用有限元软件Ansys进行结构模拟计算 ,确定了合适的结构参数 ;以硼硅玻璃为基底 ,采用准LIGA和牺牲层技术 ,分三层制作完成。
3.
The three-dimensions copper interconnects were fabricated by electrolytic photoetching and following chemical mechanical polish,finally the three dimensions copper structure was released by removing the sacrifice layer.
为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。
补充资料:材料保护 :金属覆层
    用各种方法製成的金属覆层的通称。其中﹐电镀﹑金属喷涂和表面合金化方法应用较多﹐热浸金属覆层﹑包覆和气相沉积等方法也有一定的应用。
         热浸金属覆层 将工件的基体材料浸入熔融金属浴内﹐并与熔融的金属相互作用而生成。常见的有锌﹑铝﹑锡﹑铅﹑铅-锡合金等金属覆层。钢铁工业生產的锌﹑锌铝﹑铝热浸金属层的板材﹑管材﹑带材﹑线材等在金属覆层製品中所佔数量最多。热浸锡材已渐为电化学镀锡所代替。在机械製造中﹐凡在户外工作﹑对尺寸要求不太严格﹐但抗蚀性要求较高而成本又必须低廉的钢铁製品﹐也用热浸锌和热浸铝的方法实现覆层保护。热浸锌的歷史悠久﹐过去多用於製造建筑业所需的波状铁﹑热浸锌钢丝和容器等。现代有些国家铁路沿线的信号标誌﹑公路两侧的固定设施﹑输变电塔座等也都採用热浸锌层保护。热浸铝覆层除能抗工业大气﹐特别是含硫气体和炉气侵蚀外﹐还能受热到500℃而无明显的变化﹐在石油化工设备和锅炉製造中都有应用。
         包覆 包覆技术最早用於装饰品製造﹐例如把金银等延展性好的贵金属锤成薄箔包覆在黄铜或青铜上面﹐利用热-机械作用﹐使它们在界面上有良好的结合。自20世纪30年代以来工业上就已开始广泛应用。
         热等静压包覆是利用热-机械作用﹐把抗高温氧化﹑抗热腐蚀﹑抗脆裂的延展性良好的金属先製成箔﹐其厚度在25~250微米之间﹐包覆在以超级合金製成的燃气轮机第一﹑二级叶片上﹐在充满惰性气体的高压釜内﹐长时期加热﹐使包覆材料与基体间產生略有相互扩散的结合。正在研究中的包覆材料有以含有弥散二氧化釷 (2%)的镍铬合金﹑镍铬铝合金和铁铬铝釔合金等。
         气相沉积覆层 金属蒸气凝结在基体材料上而形成的覆层。採用真空蒸发方法时﹐在10-4~10-7帕压力下进行蒸发﹐利用通电加热﹐在较粗的钨丝上预浸一层厚铝﹐使铝蒸气源沉积在冷的工件表面上。50年代初﹐这一方法已用於製造大口径天文望远镜所需的反射镜面﹐现代主要应用於电子器件﹑陶瓷和压电晶体的电极表面和反光镜面等﹐也可在纸﹑塑料和钢带上生成铝﹑锌﹑金﹑银等覆层。另一种方法是溅射﹐即在10-2 ~10-4帕真空中﹐气体在电极间產生放电现象﹐带正电的气体离子在 100~10000电子伏下轰击阴极﹐形成金属原子的气相束流﹐沉积在冷的或加热的工件表面上﹐形成极薄但緻密的金属覆层。磁控管溅射技术已能在大表面的工件上较快地沉积出较匀的金属覆层﹐如在塑料上溅射铬﹐可用於汽车工业。离子镀方法发展很迅速。採用这种方法时﹐将待镀的试样作为阴极﹐外加电位达3000~5000伏﹐用电阻加热﹑电子束加热或感应加热﹐產生带正电的金属蒸气﹐在辉光放电区变为正离子﹐能以比溅射粒更高的能量覆盖到工件表面上。气相沉积覆层方法不仅用於金属﹐还适用於无机物和塑料的覆层。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条