1) sacrificial layer etching
牺牲层腐蚀
1.
Study of Sacrificial Layer Etching of Micro/Nano Structure and Its Model;
微/纳结构牺牲层腐蚀及其模型研究
2.
A program is presented to simulate sacrificial layer etching in 2-D plane through deeply studying the mechanism of sacrificial layer etching.
深入研究了牺牲层腐蚀机制,给出了可以在二维平面中模拟腐蚀过程的仿真程序。
3.
A method to study the sacrificial layer etching in nanometer is proposed after lots of experiments.
通过大量的实验研究,建立了一套纳米量级牺牲层腐蚀行为的实验研究方法。
2) Sacrificial layer release-etch
牺牲层释放腐蚀
3) etching sacrificial layer
牺牲层刻蚀
4) sacrificial layer
牺牲层
1.
A sacrificial layer release-etch model for etching sacrificial silicon dioxide in aqueous HF solutions was presented by Eaton, et al.
Eaton等人曾给出了HF溶液腐蚀Si O2牺牲层的释放腐蚀模型,然而实验中发现该模型并不能较好地符合实验数据。
2.
An instrument was installed to in-situ monitor the etching process of the sacrificial layer SiO2using hydrofluoric acid(HF),which is influenced by such factors as temperature,composition and concentration of the etchant,sacrificial material,residual stresses of the material,etc.
设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析。
3.
The switch was fabricated by UV-LIGA technology using photoresist as a sacrificial layer.
介绍了一种基于UV-LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关,该结构由于使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗,利用牺牲层UV-LIGA技术实现了开关的微制作。
5) Sacrificial layers
牺牲层
1.
Fabrication of free standing structure using oxidized porous silicon as sacrificial layers;
用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
2.
Sacrificial layers technology is developing towards multiple layers and integration.
指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。
6) GaAs sacrificial layer
GaAs牺牲层
1.
Meanwhile,the etching rate of GaAs with C6H8O7/H2O2 solution was measured;a DBR(distributed bragg reflector) structure with a GaAs sacrificial layer was selectively etched to make an air cavity,and its etching characteristic was analyzed with the crystal structure of GaAs,which was made a base for the real fabricat.
测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。
补充资料：剥层腐蚀
分子式：
CAS号：
性质：金属材料晶间腐蚀的一种类型。腐蚀优先沿晶界向内部发展，致使晶界丧失力学性能，金属表层沿晶界发生逐层剥落。主要发生于铝合金中，是航空用铝合金腐蚀失效的主要类型，可采用表面保护涂层的方法进行防护。
CAS号：
性质：金属材料晶间腐蚀的一种类型。腐蚀优先沿晶界向内部发展，致使晶界丧失力学性能，金属表层沿晶界发生逐层剥落。主要发生于铝合金中，是航空用铝合金腐蚀失效的主要类型，可采用表面保护涂层的方法进行防护。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条