1) short channel theory
短沟道理论
1.
This paper describes the short channel theory of the bipolar field-effect transistor (BiFET) by partitioning the transistor into two sections,the source and drain sections,each can operate as the electron or hole emitter or collector under specific combinations of applied terminal voltages.
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论。
2) two-section short-channel theory
两区短沟道理论
4) short-channel
短沟道
1.
Threshold voltage in short-channel SOI BJMOSFET;
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
2.
Through solving possion equation, the characteristics of short-channel MOSFET device is analyzed in details in the following three aspects: the effect of channel length modulation , the change of threshold voltage and potential barrier decrease between source and channel.
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性。
3.
A threshold voltage model for short-channel MOSFET is developed by solving a 2-D Possion s equation.
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。
5) Short channel MOST
短沟道MOST
1.
This paper discussed the electrical characteristic of short channel MOST at very high temperature.
本文以短沟道MOST电学参数的温度特性为研究对象，对高温短沟道MOST的电学特性进行了深入的探讨。
补充资料：短沟道效应（shortchanneleffect）
短沟道效应（shortchanneleffect）
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度L缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道（也即L远大于WS WD）的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。由于短沟道效应使MOSFET的性能变坏且工作复杂化，所以人们希望消除或减小这个效应，力图实现在物理上是短沟道的器件，而在电学上仍有长沟道器件的特性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条