1) BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7) films
铌酸锌铋(BZN)薄膜
2) BZN film
铋锌铌薄膜
3) bismuth magnesium niobate(BMN) thin films
铌酸铋镁BMN薄膜
4) bismuth zinc niobate
铌酸铋锌
5) bismuth zine niobate
铌锌酸铋
6) bismuth sesquioxide-zinc oxide-diniobium pentoxide (BZN) based ceramics
氧化铋-氧化锌-氧化铌(BZN)基陶瓷
补充资料：铌铋锌系陶瓷
分子式：Nb2O5-Bi2O3-ZnO
CAS号：
性质：以Nb2O5-Bi2O3-ZnO 三元体系统为主晶相的陶瓷材料。主要特点是介电常数高。主要原料五氧化二铌、三氧化二铋、氧化锌，加入少量改性添加物，采用一般电子陶瓷工艺，在900℃以下温度烧成。通过改变主要原料的组成配比和添加物量，可形成一系列不同介电常数（从79～209）和不同介电常数温度系数（从+120×10-6/℃以-750×10-6/℃）的陶瓷材料。其体积电阻率为111～310×1010Ω·cm，抗电强度11.4～15.1kV/mm，介质损耗角正切值0.6～3.6×10-4(20℃)。可用于制造小体积、大容量的低温烧结高频独石电容器。
CAS号：
性质：以Nb2O5-Bi2O3-ZnO 三元体系统为主晶相的陶瓷材料。主要特点是介电常数高。主要原料五氧化二铌、三氧化二铋、氧化锌，加入少量改性添加物，采用一般电子陶瓷工艺，在900℃以下温度烧成。通过改变主要原料的组成配比和添加物量，可形成一系列不同介电常数（从79～209）和不同介电常数温度系数（从+120×10-6/℃以-750×10-6/℃）的陶瓷材料。其体积电阻率为111～310×1010Ω·cm，抗电强度11.4～15.1kV/mm，介质损耗角正切值0.6～3.6×10-4(20℃)。可用于制造小体积、大容量的低温烧结高频独石电容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条