2) LiTaO3 thin film
钽酸锂薄膜
1.
The LiTaO3 thin film material and its applications in pyroelectric infrared sensors are presented in this paper.
介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景。
2.
The LiTaO3 thin film was chosen as infrared sensing film and prepared by a sol-gel process using lithium acetate and tantalum ethoxide as starting materials.
用醋酸锂和乙醇钽作为起始反应物,通过溶胶凝胶工艺生成了对红外敏感的钽酸锂薄膜,并详细讨论了基于钽酸锂薄膜的红外探测器件制备工艺。
3) LiMn2O4 thin film
锰酸锂薄膜
1.
LiMn2O4 thin film was prepared on the stainless steel substrate by the sol-gel method using a spin coa-ter.
主要讨论了前驱体溶胶中锂盐浓度、PVP浓度以及旋转涂覆转速对锰酸锂薄膜表面形貌及膜厚的影响。
4) Sr0.5Ba0.5Nb2O6 thin films
铌酸锶钡薄膜
5) Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3 film
钛铌酸锶钡薄膜
6) Ba 1-x La x Nb y Ti 1-y O 3 thin film
钛酸镧钡铌薄膜
补充资料：铌酸锂晶体
分子式：LiNbO3
CAS号：
性质：无色透明体。三方晶系，钛铁矿（畸变钙钛矿型）结构。熔点1253℃，密度4.648 g/cm3。莫氏硬度5，折射率n0=2.297，ne=2.208（λ=600nm），介电常数ε11=44，为铁电晶体，居里点1210℃。自发极化强度50×10-6C/cm2。以碳酸锂和五氧化二铌为原料，晶体在铂金坩埚中用提拉法生长。为一种具有压电、铁电、电光、非线性光学、热电等多性能材料，在微声技术中用于表面波、体波、换能器元件，激光技术中用于调Q开关。还可作全息记录介质材料。
CAS号：
性质：无色透明体。三方晶系，钛铁矿（畸变钙钛矿型）结构。熔点1253℃，密度4.648 g/cm3。莫氏硬度5，折射率n0=2.297，ne=2.208（λ=600nm），介电常数ε11=44，为铁电晶体，居里点1210℃。自发极化强度50×10-6C/cm2。以碳酸锂和五氧化二铌为原料，晶体在铂金坩埚中用提拉法生长。为一种具有压电、铁电、电光、非线性光学、热电等多性能材料，在微声技术中用于表面波、体波、换能器元件，激光技术中用于调Q开关。还可作全息记录介质材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条