1)  SiGe BiCMOS
SiGe BiCMOS
1.
A High Purity Integer-N Frequency Synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS;
基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器(英文)
2.
Design of a 2.5GHz Low Phase-Noise LC-VCO in 0.35μm SiGe BiCMOS;
基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计(英文)
3.
Research of SiGe BiCMOS High-speed A/D Converter;
SiGe BiCMOS高速模数转换研究
2)  SiGe-BiCMOS
SiGe-BiCMOS
3)  SiGe BiCMOS technology
SiGe BiCMOS工艺
4)  0.35um SiGe BiCMOS technology
0.35um SiGe BiCMOS工艺
5)  BiCMOS
BiCMOS
1.
Design of ternary BiCMOS general drive-circuits;
三值BiCMOS通用驱动电路设计
2.
Design of a BiCMOS Bandgap Voltage Reference with Low Drift Temperature;
一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计
3.
Design of high-performance operational transconductance amplifier based on SiGe BiCMOS;
一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计
6)  SiGe
SiGe
1.
The Development and Prospects of SiGe Thermoelectric Materials;
SiGe热电材料的发展与展望
2.
Correlation between Serum sIgE and the Reaction in Skin Test of Blattella Germanica allergen;
德国小蠊变应原皮内试验与血清sIgE检测的相关性
3.
Detection of Periplaneta americana sIgE with Chemiluminescent Immunoassay(CLIA);
化学发光免疫法检测美洲大蠊sIgE水平的研究
参考词条
补充资料：BiCMOS集成电路
[英文]：BiCMOS integrated circuit[解释]：
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体（CMOS）门电路构成的集成电路。特点是将双极（Bipolar）工艺和CMOS工艺兼容，在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起 ，兼有高密度   、低功耗和高速大驱动能力等特点 。高性能BiCMOS电路于20世纪80年代初提出并实现，主要应用在高速静态存储器、高速门阵列以及其他高速数字电路中，还可以制造出性能优良的模／数混合电路，用于系统集成。有人预言，BiCMOS集成电路是继CMOS集成电路形式之后最现实的下一代高速集成电路形式。
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