1) drift region
漂移区
1.
By using the software of ISE and the patterned SOI LDMOS with good performance,the relationship between transconductance and the thickness of gate oxide and SOI layer ,the concentration of the drift region and the channel are all discussed in this paper.
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响。
2.
The influence of the parameters of the drift region,channel region and field plate on the breakdown voltage of the high voltage PLDMOS has been investigated by using the simulators Tsupre-4 and Medici.
借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深,沟道区的长度、浓度,场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响。
3.
The model includes physical models for nonuniformly doped channel,non-linear drift region resistance and voltage-depending non-linear parasitical capacitances.
基于高压VDM O S器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDM O S器件三维物理模型,并用数值方法求解。
2) drift
[英][drɪft] [美][drɪft]
漂移区
1.
The influences of five parameters(the doses of the drift,the length of the field plate,the thickness of field oxide layer,the thickness of gate oxide layer,the doses of the channel) on the nonlinear Cd were discussed.
借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。
2.
A novel analytic model on the relationship about the surface voltage and the PN junction electric field with the ion dose in the drift of gate off MOS is presented.
本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型 ,借助数学推导得到该模型的计算方程 ,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系 ,同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方
3) thin drift region
薄漂移区
1.
Breakdown Voltage Model and New Structures of the Lateral High Voltage Devices with Thin Drift Region;
薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
2.
An analytical breakdown model for thin drift region RESURF LDMOS with a step doping profile is presented.
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型。
4) N-drift region
N-漂移区
5) drift region
漂移区域
6) linearly doped drift region
线性漂移区
补充资料：大陆漂移说
| 大陆漂移说 continental drift，theory of 解释地壳运动和海陆分布、演变的学说。大陆彼此之间和大陆相对于大洋盆地间的大规模水平运动称为大陆漂移 。1912年德国人A.L.魏格纳提出，并在1915年发表的《海陆的起源》 一书中作了论证。 由于不能较好地解释漂移的驱动力机制问题，后受到地球物理学家以及持固定论的地质学家的反对而沉寂一时。50年代以后，随着古地磁学、地震学的发展以及地层学、古生物学、古地理学、区域构造学等对此研究所获大量资料的论证，大陆漂移说又获得进一步发展，并作为板块构造学发展的一个阶段性的里程碑而受到地学界的重视。
大陆漂移说认为，地球上所有大陆在中生代以前曾经是统一的巨大陆块，称之为泛大陆或联合古陆。中生代开始，泛大陆分裂并漂移，逐渐达到现位置。泛大陆的存在及大陆破裂、漂移的证据主要有：①大西洋两岸的海岸线相互对应，特别是巴西东端的直角突出部分与非洲西岸呈直角凹进的几内亚湾非常吻合。②美洲和欧、非在地层、岩石、构造上的相似和呼应。③大西洋两岸古生物群具有亲缘关系。④石炭纪-二叠纪时在南美洲、 非洲中部和南部、印度、澳大利亚等大陆上发生过广泛的冰川作用。⑤现代精确的大地测量数据证实大陆仍在持续缓慢地水平运动。⑥古地磁测量资料表明许多大陆现在所处位置并不代表其初始位置，而是经过了或长或短的运移。
现代地球物理学研究对大陆漂移的动力机制的可能解释是与向西漂移的潮汐力和指向赤道的离极力这两种分力有关，较轻的硅铝质大陆块漂浮在较重的粘性硅镁层之上，由于潮汐力和离极力的联合作用而使泛大陆破裂并与硅镁层分离 ，并向西、向赤道作大规模水平漂移。但大陆漂移的机制问题尚不能认为已经解决。 |
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参考词条