1) etch-stopper
刻蚀阻挡
1.
The etch-stopper and passivation layers are introduced and the technological parameters and process are designed.
采用底栅TFT结构并引入刻蚀阻挡层和钝化保护层,通过工艺参数和工艺流程的设计,研制了100℃低温氢化非晶硅TFT。
2) etch stop layer
蚀刻阻挡层
1.
For further optimal process,a single GaInP etch stop layer with 30～50 nm thickness,which was inserted in the vertical structure of normal quantum well material,was verified.
为了进一步优化工艺 ,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了 30～ 5 0 nm的 Ga In P蚀刻阻挡层。
2.
In order to improve the controllability of the dry etching depth during the fabrication process of ridge waveguide, an etch stop layer is designed in the vertical structure of GaInP/AlGaInP ridge waveguide.
针对脊形波导制作过程中蚀刻深度不易控制的问题 ,对GaInP/AlGaInP材料系统中加入蚀刻阻挡层进行了研
3) etched resistor
蚀刻电阻器
4) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
5) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
蚀刻
1.
Preparation of metal nanowire arrays with controllable length using a simple etching method;
简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列
2.
Effects on Elaborate Etching of Printed Circuit Board;
印刷线路板精细蚀刻的影响因素
3.
Electrochemistry Etching of Brass Superficial Pattern;
黄铜表面图案的电化学蚀刻
6) Etch
[英][etʃ] [美][ɛtʃ]
蚀刻
1.
A clinical study of tooth hard-tissue etched with pulsed Nd:YAG laser;
脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙齿硬组织的临床研究
2.
Quality Control of Etch Produce in VFD Film Plant;
VFD薄膜基板蚀刻工序的质量控制
3.
The surface of epoxy resin-carbon fiber composite is etched by CrO3-H2SO4 solution,and the morphology of the surface of the composite etched is observed by means of SEM.
简介了碳纤维复合材料(CFRP)材料表面金属化的工艺过程,采用CrO3-H2SO4溶液对CFRP进行蚀刻处理,通过扫描电镜观测经蚀刻处理后的树脂表面的微观形貌,测试了镀层附着力,分析了蚀刻程度与镀层附着力之间的关系。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条