1) infrared Schottky-barrier detector
红外肖特基势垒探测器
1.
By disposing the surface of Si substrate with ultra-high vacuum technology,a PtSi infrared Schottky-barrier detector was developed.
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。
2) SBD
肖特基势垒探测器
1.
Analysis on Noise for PtSi Infrared SBD;
PtSi IRCCD肖特基势垒探测器噪声分析
3) Schottky-barrier detector
肖脱基势垒探测器
5) Schottky barrier
肖特基势垒
1.
Study on Au Metal/n-type Semiconductor GaN Schottky Barrier;
金属/n型半导体(Au/n-Ga N)肖特基势垒的研究(英文)
2.
When the Schottky barrier height(Eb)is higher than 0.
当TiO2/TCO的肖特基势垒(Eb)大于0。
3.
Based on the characteristics of the electronic state in ZnO varistors, Schottky barrier at interface influenced the conductance properties and the dielectric properties.
基于ZnO压敏电阻器的电子态特征 ,界面肖特基势垒不仅对其导电性能 ,而且对其介电性能也有决定性的影响 。
6) schottky barriers
肖特基势垒
1.
Study on annealing on Au/n-ZnO Schottky barriers characteristics;
Au/n-ZnO肖特基势垒特性的退火行为研究
2.
The grown schottky barriers show good rectifier characteristics by testing the I-V characteristics of the structure of Ag-SiOx-nGaAs and Au-SiOx-nGaAs.
应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。
补充资料:肖特基势垒(Schottkybarrier)
肖特基势垒(Schottkybarrier)
金属和半导体接触形成半导体表面势垒,此势垒又称肖特基势垒。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条