1) Schottky detector
肖特基探测器
1.
Both lateral and mesa structure Schottky detectors were fabricated on Al0.
7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。
2) infrared Schottky-barrier detector
红外肖特基势垒探测器
1.
By disposing the surface of Si substrate with ultra-high vacuum technology,a PtSi infrared Schottky-barrier detector was developed.
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。
3) SBD
肖特基势垒探测器
1.
Analysis on Noise for PtSi Infrared SBD;
PtSi IRCCD肖特基势垒探测器噪声分析
5) Schottky-barrier detector
肖脱基势垒探测器
6) Schottky device
肖特基器件
1.
The performance of GaN-based Schottky device was simulated numerically based on a two-dimensional model,which focused on the effect of interface layer and bulk layer to electric characteristics,i.
基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。
补充资料：莫特-肖特基方程
分子式：
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条