1) band-to-band tunneling
带间隧穿
1.
The band-to-band tunneling effect in P-Si TFTs and its generation mechanism are introduced.
介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFTs)中的带间隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-SiTFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路。
2) band to band
带-带隧穿
3) band-to-band-tunneling
带带隧穿
1.
A charge pumping method is proposed for the m easurem ent of hole- induced interface states and trapped charges due to band- to- band- tunneling the effects during the erasing operation of FL ASH.
FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 。
4) tunneling time
隧穿时间
1.
Moreo ver, a conceptual experiment is designed to study the tunneling time.
基于相位时间和隧穿时间的定义计算了电子穿过方形势垒的相互作用时间,在此基础上设计一个实验尝试研究电子隧穿方形势垒的相互作用时间。
2.
The two tunneling time models are compared with each other.
特别是对于势垒很薄且电场为临界场的情形得到了波函数的具体形式，用它们计算了电子隧穿过程的相位时间和停延时间，并对两种隧穿时间模型作了比较。
3.
Adopted the group velocity approach to the issue of tunneling time in magnetic barrier structures,and consider the effects of the electrom spin and the applied bias.
采用群速度的方法来研究磁势垒结构中的隧穿时间,同时考虑了电子自旋以及外加电场的效应。
5) intergranular tunneling
颗粒间隧穿
1.
Inversed magnetoresistance effects in the H-A model for intergranular tunneling;
颗粒间隧穿体系H-A模型的磁电阻翻转效应
6) GeSi/Si RITD
GeSi/Si带间共振隧穿二极管
1.
The strain GeSi/Si and GeSi/Si RITD are illustrated emphatically.
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条