1) spin tunneling time
自旋隧穿时间
2) tunneling time
隧穿时间
1.
Moreo ver, a conceptual experiment is designed to study the tunneling time.
基于相位时间和隧穿时间的定义计算了电子穿过方形势垒的相互作用时间,在此基础上设计一个实验尝试研究电子隧穿方形势垒的相互作用时间。
2.
The two tunneling time models are compared with each other.
特别是对于势垒很薄且电场为临界场的情形得到了波函数的具体形式，用它们计算了电子隧穿过程的相位时间和停延时间，并对两种隧穿时间模型作了比较。
3.
Adopted the group velocity approach to the issue of tunneling time in magnetic barrier structures,and consider the effects of the electrom spin and the applied bias.
采用群速度的方法来研究磁势垒结构中的隧穿时间,同时考虑了电子自旋以及外加电场的效应。
3) spin dependent tunneling
自旋相关隧穿
4) spin polarized tunneling
自旋极化隧穿
5) spin-polarized tunneling
自旋极化隧穿
6) spin-dependent interfacial tunneling
自旋相关界面隧穿
补充资料：自旋-自旋弛豫时间
自旋-自旋弛豫时间
磁共振成像术语。磁共振成像中，自旋-自旋弛豫(T2弛豫)的时间常数。其值定义为垂直于外磁场方向的磁化矢量衰减到其初始值的37%时所需的时间。T2弛豫时间一般较T1弛豫时间为短，它与组织的存在状态有关，固态组织的T2较短，液态组织的T2较长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条