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1)  electronic correlation
电子相关性
1.
Influence of electronic correlation on FWM and XPM in Si-EDFAs and Te-EDFAs;
电子相关性对硅基和碲基EDFA中四波混频与互相位调制的影响
2)  electron correlation
电子相关
1.
Comparation between the electrostatic potential figures,the effect of fullerene electron correlation has been analyzed.
分别在Hartree-Fock和密度泛函B3LYP理论下,用6-31G*基组研究了C60和C70分子的静电势,比较了这方法计算得到上述分子静电势值的大小,静电势图形和静电势差值曲线,分析了富勒烯的电子相关效应。
2.
On the basis of the correct understanding of porphine structure,the S_(4) axis of protonated porphine is obtained first in theory by MP2 and B3LYP methods considering electron correlation energy,which is in agreement with crystal analysis experiments.
在正确认识卟吩结构的基础上,选用考虑电子相关的MP2和B3LYP方法,从理论上得到质子化卟吩的S4轴,与晶体衍射实验的结果一致。
3.
Porphine structures are fully optimized by using MP2 and two kinds of DFT me thods considering electron correlation.
用考虑电子相关的 MP2和 2种 DFT方法 ,在不同的基组下对卟吩结构全优化 。
3)  electron correlation energy
电子相关能
1.
A general procedure is introduced for calculation of the electron correlation energy, begining from a single Hartree-Fock determinant.
介绍了从单Hartree-Fock 行列式出发计算电子相关能的一种普遍方法,即在组态系数中引入二次项,用修改后的组态相互作用理论方程,计算所得的总能量仍具有大小一致性。
2.
And the electron correlation energy of ArHF and ArFH calculated by MP2(full)/6-311++G(d) method differ very little.
应用 RHF/6- 31 1 + + G( d)、MP2 /6- 31 1 + + G( d)量子化学理论计算方法 ,对 Ar HF和 Ar FH异构体系进行了理论探讨 ,结果表明在 0 K时 ,Ar HF分子比 Ar FH分子稳定 ;MP2( full) /6- 31 1 + + G( d)计算得到的 Ar HF和 Ar FH体系的电子相关能相差不大 ,并且发现此类范德华分子络合物的电子相关能可以从其组成的 Ar原子和 HF分子的电子相关能之和来近似计算 。
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4)  electronic correlation energy
电子相关能
1.
Making use of the method for calculating electronic correlation energy in reference ,with considering electronic correlation effect,we propose a new method to calculate interactive potential between molecules,and calculate the potential of He He.
利用文献［１］提出的计算电子相关能方法，考虑到分子间相互作用时电子的相关效应，提出一种计算分子间相互作用势的新方法，并且计算了Ｈｅ－Ｈｅ相互作用势。
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5)  electronic correlator
电子相关器
6)  factor correlativity
因子相关性
1.
Analysis of effects of factor correlativity on two kinds of dam monitoring models;
因子相关性对两种大坝监测模型的影响分析
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补充资料：电工电子产品环境试验国家相关标准

一、GB/T2423 有以下51个标准组成：
1 GB/T 2423.1-2001 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验A: 低温


2 GB/T 2423.2-2001 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验B: 高温


3 GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法


4 GB/T 2423.4-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Db: 交变湿热试验方法


5 GB/T 2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第二部分：试验方法 试验Ea和导则: 冲击


6 GB/T 2423.6-1995 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验方法 试验Eb和导则： 碰撞


7 GB/T 2423.7-1995 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验方法 试验Ec和导则: 倾跌与翻倒 (主要用于设备型样品)


8 GB/T 2423.8-1995 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验方法 试验Ed: 自由跌落


9 GB/T 2423.9-2001 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Cb: 设备用恒定湿热


10 GB/T 2423.10-1995 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验方法 试验Fc和导则: 振动(正弦)


11 GB/T 2423.11-1997 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fd: 宽频带随机振动--一般要求


12 GB/T 2423.12-1997 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fda: 宽频带随机振动--高再现性


13 GB/T 2423.13-1997 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fdb: 宽频带随机振动 中再现性


14 GB/T 2423.14-1997 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fdc: 宽频带随机振动 低再现性


15 GB/T 2423.15-1995 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验方法 试验Ga和导则: 稳态加速度


16 GB/T 2423.16-1999 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验J和导则: 长霉


17 GB/T 2423.17-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ka: 盐雾试验方法


18 GB/T 2423.18-2000 电工电子产品环境试验 第二部分: 试验--试验Kb:盐雾, 交变(氯化钠溶液)


19 GB/T 2423.19-1981 电工电子产品基本环境试验规程 试验Kc: 接触点和连接件的二氧化硫试验方法


20 GB/T 2423.20-1981 电工电子产品基本环境试验规程 试验Kd: 接触点和连接件的硫化氢试验方法


21 GB/T 2423.21-1991 电工电子产品基本环境试验规程 试验 M: 低气压试验方法


22 GB/T 2423.22-2002 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验N: 温度变化


说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条