1) extreme ultraviolet
极紫外光
1.
Experimental study on extreme ultraviolet light generation from high power laser-irradiated tin slab;
基于强激光辐照固体锡靶产生极紫外光源的实验研究
2) electrodeless ultraviolet
无极紫外光
1.
It meets factory requirements when dyeing wastewater has been advanced treated by electrodeless ultraviolet photo catalyzing oxidation and microwave plasma enhanced activated carbon absorption.
印染废水经“无极紫外光催化氧化+微波等离子体强化活性炭吸附”工艺深度处理后,水质达到了车间用水要求,回用水与自来水的水质特性无明显差异,使用回用水和新鲜水染色,两者在特性和质量上没有明显的差异。
3) EUVL
极紫外光刻
1.
Extreme ultraviolet lithography(EUVL) is one of all candidate next-generation lithography technologies targeting 45 nm features,the industrial throughput should be more than 80 wafers-per-hour.
极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形。
2.
The status of extreme ultraviolet lithography (EUVL),as the technology for nextgeneration lithography (NGL), in a rapidly developing stage is analyzed.
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。
3.
The typical NGL technologies, like immersion ArF lithography, extreme ultraviolet lithography (EUVL) and electron beam Projection lithography (EPL), are compared.
通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。
6) extreme ultraviolet optics
极紫外光学
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条