1)  DIBL effect
漏极引致势垒降低效应
1.
Drain-induced barrier lowering effect(DIBL effect) on the subthreshold behavior is studied in 6H-and 4H-SiC MESFET s through an analytical two-dimensional model.
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。
2)  drain
漏极
1.
A C-band drain pulsing circuit of a solid-state power amplifier was described.
设计主要使用P-channel MOSFET为漏极脉冲调制微波固态功率放大器设计了一个控制电路,并将其与功率放大器相结合,使它有别于开关与功率放大器串联的传统工作电路,可以直接控制功率放大器的工作状态,同时获得了较传统电路更大的功率容量、更高的效率以及更强的隔离性等。
3)  drain wareform
漏极波形
1.
Based on the flyback circuit,the different mathematical models are built,so that the first drain wareform is confirmed.
介绍了断续模式反激式电路的基本工作原理,在此基础上建立了不同工作阶段的数学模型,确定了初级漏极波形在各个阶段不同表现的内在原因,从而进一步引出输出电压与输入电压比的相关计算,同时依据数学模型阐述RC吸收网络、RCD吸收网络对于尖刺抑制的内在机理,分析结果使用Pspice仿真验证。
4)  Quasi drain
准漏极
5)  drain characteristics
漏极特性
6)  Drain Disturbance
漏极干扰
1.
The key killers to the retention of Flash memory are three different types of disturbances, DC-Programming, DC-Erasure, and Drain Disturbance.
直流写、直流擦以及漏极干扰是影响Flash存储器长期有效保存数据的主要原因,本文在Mohammad失效模型的基础上提出了一个更优的测试算法,从而有效缩短测试时间,节约生产成本。
参考词条
补充资料：引致
1.引荐罗致;使之来。
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