1) Saturation drain current
饱和漏极电流
2) saturated drain current
饱和漏电流
1.
It is studied that the influence of AB microdefects in semi-insulating GaAs substrate grown by LEC on the property of MESFET devices including transconductance (g m),saturated drain current (I dss),and pinch-off voltage (V p) .
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 。
3) saturated drain-source current
饱和源漏电流
1.
In this paper, we investigated the mechanism for the decrease of saturated drain-source current ( ) due to sulfur passivation.
本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素。
4) collector saturation current
集电极饱和电流
5) cathode saturation current
阴极饱和电流
6) drain saturation voltage
饱和漏电压
补充资料：复极电流
复极电流
心肌细胞上由K+携带的离子电流。存在于慢反应自律细胞，4期内呈进行性衰减，构成4期自动去极化。也存在于快反应非自律细胞，在复极2期和复极3期起作用，所以称复极电流。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条