栅-漏极电容-频率,C-f,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) C-f

栅-漏极电容-频率

The relationship between reverse breakdown characteristics of gate-gain and slow trap charges in the interface between passivation layer and semiconductor has been studied by testing gate-gain capacitance of GaAs MESFETs directly using C-f and HF C-V methods.

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。

2) Grating

栅

3) grating constant

光栅栅距

In the process of making uniform fiber grating base on interference, the angel of interference lights conclude the grating constant.

全息法曝光制作FBG工艺过程中,两束相干光发生干涉时会遇的角度对刻写出来的光栅栅距有决定作用,会遇角度大时可对刻写栅距进行精细调节。

4) distance between gates

栅栅间距

The optimality analysis of the distance between gates in the design of triple-gates switches is described.

针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 ,并在实验中得到验

5) grating

光栅

Measurement of absciss layer displacement with optical grating computation;

一种基于光栅计量原理的离层位移测量技术

Design of printing system with needle-type grating head for OVD'S;

针式光栅头光学可变图像打印系统的设计

Conceptual Design and Key Technology of the Grating Duplicating Machine;

光栅印制机总体设计与关键技术研究

6) ring bar

环栅

The innovation is that a ring bar sprayed bubbling gas distributing device is installed at the bottom of the tower,which has novel effects of leveling off gas and decompressing,cooling and dust removal,highly effective absorption,hydraulic stiring and so on at the same time.

其创新点是在塔的下部嵌入了一个环栅喷射鼓泡式进气装置,其新颖之处体现于:烟气稳流减压,冷却除尘,高效吸收,气力搅拌等功能可在环栅通道内一气呵成。

参考词条

栅格微栅栅元时栅搁栅栅极栅网 “穷举法” 目标威胁度

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

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1) C-f 栅-漏极电容-频率 1. The relationship between reverse breakdown characteristics of gate-gain and slow trap charges in the interface between passivation layer and semiconductor has been studied by testing gate-gain capacitance of GaAs MESFETs directly using C-f and HF C-V methods. 用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。 2) Grating 栅 3) grating constant 光栅栅距 1. In the process of making uniform fiber grating base on interference, the angel of interference lights conclude the grating constant. 全息法曝光制作FBG工艺过程中,两束相干光发生干涉时会遇的角度对刻写出来的光栅栅距有决定作用,会遇角度大时可对刻写栅距进行精细调节。 4) distance between gates 栅栅间距 1. The optimality analysis of the distance between gates in the design of triple-gates switches is described. 针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 ,并在实验中得到验 5) grating 光栅 1. Measurement of absciss layer displacement with optical grating computation; 一种基于光栅计量原理的离层位移测量技术 2. Design of printing system with needle-type grating head for OVD'S; 针式光栅头光学可变图像打印系统的设计 3. Conceptual Design and Key Technology of the Grating Duplicating Machine; 光栅印制机总体设计与关键技术研究 6) ring bar 环栅 1. The innovation is that a ring bar sprayed bubbling gas distributing device is installed at the bottom of the tower,which has novel effects of leveling off gas and decompressing,cooling and dust removal,highly effective absorption,hydraulic stiring and so on at the same time. 其创新点是在塔的下部嵌入了一个环栅喷射鼓泡式进气装置,其新颖之处体现于:烟气稳流减压,冷却除尘,高效吸收,气力搅拌等功能可在环栅通道内一气呵成。参考词条栅格微栅栅元时栅搁栅栅极栅网 “穷举法” 目标威胁度补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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