1) GaAs field-effect transistor
FET场效应管
2) MOSFET
['mɔsfet]
场效应管
1.
MOSFET SWITCHING PILOT SOURCE;
开关式场效应管维弧电源的设计
2.
DESING OF ZX7-125S MOSFET INVERTER WELDING MACHINE;
ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制
3.
MOSFET invertor characteristics of robot arc welding system;
机器人场效应管式弧焊逆变器性能研究
3) FET
场效应管
1.
Comparative Study of the Functions of FET and JET;
场效应管和三极管的比较研究
2.
Discussion of the Teaching Method of FET;
场效应管工作原理课堂教学方法和思路的探讨
3.
Extraction of FET Small-Signal Model Parameters Based on Hybrid Genetic Algorithm;
基于遗传算法的场效应管模型参数的提取
4) field-effect transistor
场效应管
1.
A DNA field-effect transistor was manufactured.
利用亲和素作为连接臂将生物素修饰的单链DNA固定在传感器的栅区表面上,制成DNA场效应管生物传感器,研究DNA场效应管的稳定性和特异性,并测定该传感器对不同浓度DNA互补链检测的效应值。
2.
Aiming at the shortcoming of the typical field-effect transistor (FET) switch, this paper proposes a kind of novel FET switch.
针对典型场效应管开关电路的缺点 ,提出了一种新的场效应管开关 。
5) field effect transistor
场效应管
1.
Fabrication and I-V characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors;
ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究
2.
High stability sine-wave generator with field effect transistor;
采用场效应管稳幅的高稳定度正弦波信号源
3.
The trouble of disable opening X-ray tube in ARL9400 X-ray fluorescence spectrograph caused by destroied field effect transistor was discussed.
介绍由于X射线荧光检测器探头的前置放大电路场效应管损坏而导致X射线光管不能打开的故障原因及故障排除方法。
6) field effect tube
场效应管
1.
The significance of understanding circuit symbols of transistor and field effect tube;
巧识晶体管、场效应管电路符号的意义
2.
A system of ultrasonic place measurement based-on microcontroller is presented,and an auto-gain circuit is designed,which depend on the changeable resistance function of the field effect tube,to offset attenuation that transmit process of ultrasonic.
介绍了一种基于单片机的超声波测距系统,应用场效应管的可变电阻功能,设计了一种自动增益电路来对超声波的声波衰减进行补偿,给出了自动增益电路原理图,并分析和实验了其功能,实验结果验证了设计的自动增益电路具有线性度高、电路简单以及动态性能好等优点,较好地改善了超声波声强与测距精度随距离远近变化大的缺点,并减小了超声波探头的测量盲区。
3.
The new type DC solid state relay is a kind of new contactless switching device,with the new type IGBT and power field effect tube as the core and composed completely by solid state electron devices.
新型直流固态继电器是一种以新型器件IGBT以及功率场效应管为核心的,全部由固态电子器件组成的新型无触点开关器件。
补充资料：场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（FET）是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。与双极晶体管相比，FET有很多优点，主要是：FET是依靠多数载流子工作的器件，所以又称单极晶体管，它没有少子存储效应，适于高频和高速工作，且耐辐射性好；FET的输入阻抗高，实际上不需输入电流，所以在模拟开关电路、高输入阻抗放大器、微波放大器中获得广泛的应用；FET的制造工艺相对比较简单。场效应晶体管可分为结型场效应管（JFET）、肖特基势垒栅场效应管（MESFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）三大类。而JFET和MOSFET又可再分为p沟道和n沟道器件。三类场效应管都有一个半导体材料的沟道（电流通路），沟道两端各有一个电极：一个叫做源极，一个叫做漏极。各种场效应管都有一个施加控制电压或电场的栅极。在FET工作时，栅极电压的变化会引起导电沟道电性能变化，从而控制了源和漏之间的电流。场效应管由于输入阻抗大，噪音小，极限频率高抗辐射能力强和制造工艺简单，它已广泛应用于包括放大及数字电路在内的各种电路中。FET也是集成电路的关键元件之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条