1) FET microwave amplifier transistor
FET功率管
2) power FET application
功率FET应用
4) M-FET
M-FET管
1.
DC Modelling of M-FET;
M－FET管的DC模型
5) GaAs field-effect transistor
FET场效应管
6) Power transistor
功率管
1.
Using novel technologies such as the mesa junction termination structure with one guard ring and a nonlinear blasting resistor of microwave power transistors,a high L-band medium silicon pulse power transistor has been developed.
该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1。
2.
A new base-combed structure of RF power transistor is proposed,which can markedly improve the heat-radiating property of RF power transistors,increase the dissipation power and out-put power,and alleviate the contradiction of high operation frequency and large out-put power in the RF power transistors with traditional structures.
这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 。
3.
In this article,heat-emanating analysis and calculation for two high-power transistors of one intermediate frequency inverter electrical source were done by thermal design theory and empirical formul.
本文首先采用热设计理论及经验公式对某型中频逆变电源内的2个大功率管(IGBT)进行了散热计算及分析,并给出了初步设计方案。
补充资料：场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（FET）是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。与双极晶体管相比，FET有很多优点，主要是：FET是依靠多数载流子工作的器件，所以又称单极晶体管，它没有少子存储效应，适于高频和高速工作，且耐辐射性好；FET的输入阻抗高，实际上不需输入电流，所以在模拟开关电路、高输入阻抗放大器、微波放大器中获得广泛的应用；FET的制造工艺相对比较简单。场效应晶体管可分为结型场效应管（JFET）、肖特基势垒栅场效应管（MESFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）三大类。而JFET和MOSFET又可再分为p沟道和n沟道器件。三类场效应管都有一个半导体材料的沟道（电流通路），沟道两端各有一个电极：一个叫做源极，一个叫做漏极。各种场效应管都有一个施加控制电压或电场的栅极。在FET工作时，栅极电压的变化会引起导电沟道电性能变化，从而控制了源和漏之间的电流。场效应管由于输入阻抗大，噪音小，极限频率高抗辐射能力强和制造工艺简单，它已广泛应用于包括放大及数字电路在内的各种电路中。FET也是集成电路的关键元件之一。
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参考词条