1) MOSFET
['mɔsfet]
MOS场效应管
1.
This paper presents a VHDL-AMS behavioral modeling method for the semiconductor devices based on Spice model,and the behavioral model of MOSFET is also provided,including models for temperature effects, noise, DC current and capacitance equations.
本文提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了MOS场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以CMOS反相器电路为例在混合信号仿真器SMASH5。
2.
In recent years, cold cathode thyratron KN-22 is widely used in circuit, but here KN-22 is replaced by MOSFET.
应用冷阴极闸流管KN 22作为开关线路比较广泛,但近年来我们改用MOS场效应管线路代替KN 22,该线路性能稳定可靠,输出脉冲幅度为-6。
3.
With the continuous scaling of CMOS technology, the cutoff frequency of MOSFET has exceeded 100GHz, which makes the CMOS technology a good candidate for the realization of RFICs.
随着CMOS工艺特征尺寸的不断减小, MOS场效应管的特征频率已经超过了100GHz,这使得CMOS工艺成为射频集成电路设计的一个重要选择。
2) MOS field effect transistor
MOS场效应管
1.
A direct ion storage(DIS) detector integrates MOS field effect transistor with cavity ionization chamber and is used for monitoring personnel dose.
MOS场效应管与空腔电离室两种技术结合,形成一种用于个人核辐射剂量监测的新型探测器-直接电荷存贮(Direct Ion Storage,简称DIS)探测器。
3) MOS field effect transistor
MOS场效应晶体管
4) MOSFET
['mɔsfet]
MOS场效应晶体管
1.
Modeling of Millimeter-Wave MOSFETs;
毫米波MOS场效应晶体管的建模
2.
Effects of channel length on degradation characteristics of n-MOSFET s have been investigated.
研究不同沟道长度n沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响。
5) BJMOSFET
双极MOS场效应晶体管
1.
The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
2.
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
6) Double-diffusion MOSFET
双扩散MOS场效应晶体管
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
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参考词条