1) Transistor Voltage Stress
晶体管电压应力
2) power Transistor/MBSIT
电力晶体管/MOS控制双极型静电感应晶体管
3) pressure sensitive transistor
压力敏感晶体管
4) SIT
[英][sɪt] [美][sɪt]
静电感应晶体管
1.
A Study on Electrical Parameters of SIT;
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
2.
The gate region of conventional SIT(static induction transistor)is usually prepared by B diffusion in n-type Si,the preparation is complex and high in cost,so a new recessed-gate Schottky barrier SIT was proposed.
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。
5) static induction transistor
静电感应晶体管
1.
Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.
描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法。
2.
The space charge effect (SCE) of static induction transistor (SIT) that occurs in high current region is systematically studied.
研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制。
3.
A cylindrical gates model of the static induction transistor is proposed and mirror method is used to calculate the distribution of electric potential.
针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 。
6) piezoelectric transistor
压电式晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条