1) power static induction thyristor
电力静电感应晶闸管
2) SITH
[英][siθ] [美][sɪθ]
静电感应晶闸管
1.
Numerical simulation on SITH’s negative-resistance transition;
静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟
2.
Analysis of SITHs Negative-Resistance Characteristic
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
3.
Static Induction Thyristors(SITH),developed in recent years,are highfrequency and high-power switching devices.
静电感应晶闸管是近年来发展起来的一种高频大功率新型电力电子器件。
3) static induction thyristor
静电感应晶闸管
1.
A SIT-BJT model is proposed for static induction thyristors(SITh)operation in the blocking state.
提出了一种描述静电感应晶闸管在阻断态时的工作机理的SIT-BJT等效模型。
2.
The relationship between the main electric parameters and the structure of the static induction thyristor devices has been discussed.
分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果。
4) static induction thyristors
静电感应晶闸管
1.
Study of application on static induction thyristors;
静电感应晶闸管的应用研究
2.
In the viewpoint of application, the author tests and analyzes the main parameters of the homemade static induction thyristors and especially makes a particular study of the open and close character.
从应用角度出发 ,测量分析了国产静电感应晶闸管 (SITH)的主要电参数 ,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。
5) static induction thyristor (SITH)
静电感应品闸管
6) SIT
[英][sɪt] [美][sɪt]
静电感应晶体管
1.
A Study on Electrical Parameters of SIT;
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
2.
The gate region of conventional SIT(static induction transistor)is usually prepared by B diffusion in n-type Si,the preparation is complex and high in cost,so a new recessed-gate Schottky barrier SIT was proposed.
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。
补充资料：静电感应
| 静电感应 electrostatic induction 导体受带电体影响使其表面不同部分出现正、负电荷的现象。在带电体产生的外电场的影响下，导体内的自由电子定向漂移，使导体两端出现正、负电荷，并产生附加电场。当附加电场与外电场在导体内部处处抵消，即导体内部处处总电场为零时，达到静电平衡。若导体原来不带电，则两端的感应电荷等量异号，代数和为零；若导体原来带电，则两端感应电荷的代数和应等于导体原来的电量。 导体的静电平衡条件是其内部场强处处为零，故电荷只能分布在导体表面（确切地说是分布在很薄的表面层），整个导体是等势体，表面是等势面，导体表面外附近的电场强度的方向与表面垂直，场强的大小与该处的面电荷密度成正比。 |
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参考词条