1) thick film resistor paste
厚膜电阻浆料
2) thick film
厚膜
1.
Preparation and characterization of PZT thick film for piezoelectric cantilever beam by sol-gel;
用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征
2.
Fabrication and investigation of Si-based PZT thick films;
硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究
3.
Study on Integrated Capacitive Pressure Sensor of Thick Film;
电容式压力传感器的厚膜集成化研究
3) thick films
厚膜
1.
Studies on the BaFe_(12)O_(19) ferrite permanent thick films prepared by screen-printing;
丝网印刷制备钡铁氧体永磁厚膜的研究
2.
This article describes the main growth methods of MgB_2 thin/thick films since the superconductivi- ty of MgB_2 had been discovered,including the comparisons of substrates and annealing processes,and summarizes the research progress of fabricating MgB_2 tunnel junctions briefly.
介绍了自 MgB_2超导电性被发现以来,用于制备 MgB_2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况。
3.
The recent progresses on the liquid epitaxial growth of REBCO (RE=rare earth) thick films are reviewed.
本文从基片和种膜、LPE的初始阶段研究和超导性能的控制这三个方面回顾总结了液相外延生长REBCO(RE=稀土元素)厚膜的研究进展。
4) thick-film
厚膜
1.
Development of thick-film intelligent pressure transmitter with low pressure scale;
小量程智能厚膜压力变送器的研制
2.
Applied research of nickel paste in thick-film humidity sensitive resistor;
镍浆在厚膜湿敏电阻器上的应用研究
3.
The linearity of the micro-pressure thick-film sensor;
厚膜微压传感器的线性化
5) Piezoelectric Thick Film
压电厚膜
1.
Studies of PMS-PNN-PT Piezoelectric Thick Film Ceramic Material;
PMS-PNN-PT压电厚膜陶瓷材料的研究
2.
Effects of buffer layer on properties of PMS-PNN-PZT piezoelectric thick film material;
缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响
3.
In this paper,the development of the method for powder synthesis and new preparation technique of ceramic were reviewed,such as sol-gel method,hydrothermal method,molten salt method,piezoelectric thick film techology,spark plasma sintering technology.
本文从粉体制备方法和陶瓷制备新技术两个方面综述了近几年无铅压电陶瓷制备方法(如溶胶-凝胶法、水热法、熔盐法、压电厚膜技术、放电等离子烧结技术等)的研究进展,并对制备出的无铅压电陶瓷的性能与传统方法进行了对比,讨论了不同制备方法的优缺点。
6) thick film paste
厚膜浆料
1.
Review of development on thick film paste for AlN substrate;
AlN基板用厚膜浆料发展评述
参考词条
补充资料：二氧化钌电阻浆料
分子式：
CAS号：
性质：是以二氧化钌为导电相的厚膜电阻浆料。二氧化钌具有金红石结构，正方晶系。密度7.1g/cm3。与绝大多数酸不起反应，在空气中加热至1000℃不分解。具有正温度系数，既有n型半导体特征也有p型半导体特征。浆料中二氧化钌含量5%～40%，方阻30～106Ω/□，电阻温度系数-(3.8～2.7)10-4/℃，噪音-17～11db。耐湿性(△R/R)0.01%～0.56%，耐热稳定性(△R/R)0.2%，耐负着稳定性(△R/R)0.1%～0.3%。二氧化钌粉末加玻璃粉、有机载体和添加剂研磨均匀而成。烧成的电阻膜稳定性高，对工艺不敏感，功率负荷密度高、电阻温度系数低、噪音低。用于制作混合集成电路、电阻网络、大功率电阻器和电极等。
CAS号：
性质：是以二氧化钌为导电相的厚膜电阻浆料。二氧化钌具有金红石结构，正方晶系。密度7.1g/cm3。与绝大多数酸不起反应，在空气中加热至1000℃不分解。具有正温度系数，既有n型半导体特征也有p型半导体特征。浆料中二氧化钌含量5%～40%，方阻30～106Ω/□，电阻温度系数-(3.8～2.7)10-4/℃，噪音-17～11db。耐湿性(△R/R)0.01%～0.56%，耐热稳定性(△R/R)0.2%，耐负着稳定性(△R/R)0.1%～0.3%。二氧化钌粉末加玻璃粉、有机载体和添加剂研磨均匀而成。烧成的电阻膜稳定性高，对工艺不敏感，功率负荷密度高、电阻温度系数低、噪音低。用于制作混合集成电路、电阻网络、大功率电阻器和电极等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。