1) native acceptor defect
本征受主缺陷
2) acceptor-type defect
受主缺陷
1.
It is likely that the sulfur passivation process reduces and the ratio of , where is the concentration of donor-type defects and is the concentration of acceptor-type defects .
本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素。
3) intrinsic defects
本征缺陷
1.
Potential parameters fitting and simulation calculation of intrinsic defects in PbMoO_4;
钼酸铅晶体势参数的拟合及本征缺陷的模拟计算
2.
But we discovered that the intrinsic defects can still make effective action even if the ZnO have doped by n type impurity dopants.
通过实验 ,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变 ,使得载流子浓度变化而导致的结果。
3.
Study of intrinsic defects in ZnO varistor ceramics by dielectric spectroscopy
从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱。
4) intrinsic defect
本征缺陷
1.
The results show that some additives such as Ba have a restraint effect on the formation of intrinsic defect Zni2+.
结果表明，本征缺陷二次电离填隙锌Zni2+能否探测到不但与其相对浓度大小有关，还与测量温度有关；某些添加剂例如Ba对Zni2+缺陷的形成有抑制作用。
2.
It is found that the interior stoichiometry of GaAs crystal wafers can be modified by annealing and the modification in stoichiometry can results in respective changes in intrinsic defects and electrical properties.
发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。
3.
The excellent electric properties and stability under the long duration load voltage of the system ZnO-Bi 2O 3-Sb 2O 3-BaO result from an appropriate amount of BaSb 2O 6 phase that makes Schottky barrier height and grain-boundary resistance increasing and restains the formation of intrinsic defect Z ¨ n i .
结果表明，ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系压敏陶瓷优良的直流电参数和长期电负荷下的工作稳定性，来源于适量的偏锑酸钡相使肖特基势垒高度升高及相应地晶界电阻增大，以及对本征缺陷Ｚ¨ｎｉ的抑制作
6) extrinsic defect
非本征缺陷
补充资料：受主
分子式：
CAS号：
性质：在半导体中，若杂质或缺陷能级上没有电子占据，杂质原子或缺陷是电中性的，这种杂质或缺陷叫做受主，其能级叫做受主能级。价带中的电子如获得一定能量，可以跳到受主能级上，同时价带中出现一个空穴。这一过程也可以理解为：束缚在受主能给上的空穴获得一定能量后进入价带，成为自由空穴，这一能量叫做空穴的电主取胜。电离能小的受主能级是浅受主能级，电离能大的是深受主能级。在能级图上空穴能量是向下增加的，受主能级在价带顶上方。硼、铝、铟、镓是锗、硅中的浅受主能级杂质。硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。深能级受主可能成为电子陷阱或复合中心。
CAS号：
性质：在半导体中，若杂质或缺陷能级上没有电子占据，杂质原子或缺陷是电中性的，这种杂质或缺陷叫做受主，其能级叫做受主能级。价带中的电子如获得一定能量，可以跳到受主能级上，同时价带中出现一个空穴。这一过程也可以理解为：束缚在受主能给上的空穴获得一定能量后进入价带，成为自由空穴，这一能量叫做空穴的电主取胜。电离能小的受主能级是浅受主能级，电离能大的是深受主能级。在能级图上空穴能量是向下增加的，受主能级在价带顶上方。硼、铝、铟、镓是锗、硅中的浅受主能级杂质。硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。深能级受主可能成为电子陷阱或复合中心。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条