1) reactive magnetron sputtering
反应磁控溅射
1.
Influence of RF input power on a-C:F films prepared by reactive magnetron sputtering;
射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响
2.
XPS study of fluorinated diamond-like carbon films prepared by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究
2) reactive magnetron sputtering
磁控反应溅射
1.
Modeling analysis of gradient-index coatings prepared by reactive magnetron sputtering;
磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析
2.
TiO2 thin films were deposited on glass and quartz substrates, respectively, using the direct current reactive magnetron sputtering method.
采用直流磁控反应溅射法,在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜。
3.
Si_3N_4 thin films were prepared on silicon substrate by RF reactive magnetron sputtering in Ar/N_2 atmosphere with highly pure Si disc as the target.
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。
3) magnetic reactive sputtering
磁控反应溅射
1.
Studied were the gas sensing properties of SnO2 thin film prepared by magnetic reactive sputtering.
为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。
4) RF magnetron reactive sputtering
磁控反应溅射
1.
Hafnium oxide thin films are successfully prepared by RF magnetron reactive sputtering on p-type Si for high-k gate dielectric with hafnium as the target.
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究。
5) magnetron reactive sputtering
磁控反应溅射
1.
The Ge xC 1-x films were prepared by radio frequency magnetron reactive sputtering in Ar/CH\-4 in a wide range of processing parameters.
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。
2.
Using copper and nickel chromium alloy as target materials,a solar selective absorbing surface with interference effect was prepared by magnetron reactive sputtering process.
以铜和镍铬合金为靶材，用磁控反应溅射法制备具有干涉效应的 Ｎｉ Ｃｒ 选择性吸收薄膜，用 Ａ Ｅ Ｓ、 Ｔ Ｅ Ｍ 研究薄膜的结构和组成。
3.
Si_3N_4 thin films have been prepared on sapphire and silicon substrates by radio frequency magnetron reactive sputtering in Ar and N_2 mixtures with high pure Si disc as the target.
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜。
6) reactive magnetromsputtering
反应式磁控溅射
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条