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1)  reactive RF magnetron sputtering
反应RF磁控溅射
1.
Properties of amorphous SiO 2 films prepared by reactive RF magnetron sputtering method;
反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究
2)  RF magnetron sputtering
RF磁控溅射
1.
Annealing effect on mechanical properties of RF magnetron sputtering ZnO thin film;
退火温度对RF磁控溅射ZnO薄膜力学性能的影响
2.
Influence of RF magnetron sputtering processes on morphology of TiNi_(1-x)Cu_x alloy films;
RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响
3.
The zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si(100) substrate by RF magnetron sputtering technique.
通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。
3)  RF actively sputtering technique
RF反应溅射
1.
Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique;
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜
4)  RF reactive sputter
射频(RF)反应溅射
5)  reactive magnetron sputtering
磁控反应溅射
1.
Modeling analysis of gradient-index coatings prepared by reactive magnetron sputtering;
磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析
2.
TiO2 thin films were deposited on glass and quartz substrates, respectively, using the direct current reactive magnetron sputtering method.
采用直流磁控反应溅射法,在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜。
3.
Si_3N_4 thin films were prepared on silicon substrate by RF reactive magnetron sputtering in Ar/N_2 atmosphere with highly pure Si disc as the target.
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。
6)  magnetic reactive sputtering
磁控反应溅射
1.
Studied were the gas sensing properties of SnO2 thin film prepared by magnetic reactive sputtering.
为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。
补充资料:磁控溅射
分子式:
CAS号:

性质:用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场,在磁场作用下,电子被约束在一个环状空间内,形成高密度的等离子环。在等离子环内,电子不断地使Ar原子变成Ar离子,Ar离子被加速后打向靶表面,把靶内的原子溅射出来,沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体,溅射电源可用直流或射频电源,如靶材是绝缘体,则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上,称为正轴溅射,基片放在靶轴线外;称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。

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参考词条