1) vanadium oxide crystal
氧化钒晶体
2) VO 2 polycrystalline film
二氧化钒多晶薄膜
1.
Based on the model of the two phases of grain and grain boundary, the grain boundary tunneling of carriers was considered to simulate the change of the resistivtiy of VO 2 polycrystalline film prepared by Sol-gel method in temperature range of 10℃～100℃.
模拟结果显示 ,二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化 ,并使薄膜在金属相时呈现负的温度系
3) vanadium oxide
氧化钒
1.
Equivalent model for vanadium oxide thin film uncooled infrared detector;
氧化钒热敏薄膜非致冷红外探测器的等效模型
2.
The results identify that the process of conversion of vanadium oxides, convertion abides by the principle of reduction step by step.
对以五氧化二钒为原料制备碳化钒的工艺过程进行热力学分析,分析结果表明:钒氧化物在转化过程中遵循逐级还原理论;钒氧化物在碳化过程中,不转化为金属钒,直接转化为碳化钒;二氧化钒的碳化温度最低,为1018K,因此,在钒氧化物的转化过程中,应尽可能使其转化为二氧化钒。
3.
The authors have prepared vanadium oxide films by plasma-enhanced chemical vapor depostion (PECVD) and pulsed laser deposition (PLD).
鉴于氧化钒是应用于锂充电电池的最有希望的电极材料之一，采用等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）和激光溅射沉积法（ＰＬＤ），制备了不同的氧化钒薄膜，并研究了它们的电化学性质。
4) vanadium dioxide
二氧化钒
1.
Preparation techniques of vanadium dioxide nanopowders and thin films;
二氧化钒纳米粉体和薄膜的制备技术
2.
Fabrication of vanadium dioxide films at low temperature and researches on properties of the films;
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究
3.
Vanadium dioxide thin films depositing on ZnSe substrate and the component changed after annealing;
ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
5) VO_2
二氧化钒
1.
Preparing VO_2 Powder using Leach Solution of Vanadium Slag;
采用钒渣浸出液制备二氧化钒粉末
2.
Influence of Annealing Temperature on Infrared Transmittance of VO_2 Film
退火温度对二氧化钒薄膜红外透过率的影响
3.
A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) readout integrated circuit(ROIC) for the sensitive material of vanadium dioxide(VO_2) was introduced.
介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路(RO IC)。
6) vanadium oxidation state
钒氧化态
1.
Relationship between vanadium oxidation states and thermal stability of an oxovanadium phosphate with 3-dimensional channels;
VPO系孔道化合物钒氧化态对结构热稳定性的影响机理
2.
Influences of vanadium oxidation states on the thermal stability of vanadium phosphates with open framework.;
孔道结构化合物(H_3NCH_2CH_2NH_3)_3[(VO)_4(PO_4)_2(HPO_4)_4]的钒氧化态与热稳定性关系研究
补充资料：硅-氧化钠-五氧化二钒系湿敏材料
分子式：
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条