1) Manganese pyrovanadate
氧化钒锰
2) lithium manganese vanadium oxides
锂锰钒氧化物
3) Organic-inorganic hybrid materials of the Manganese Vanadate
锰钒氧无机-有机杂化材料
4) vanadium oxide
氧化钒
1.
Equivalent model for vanadium oxide thin film uncooled infrared detector;
氧化钒热敏薄膜非致冷红外探测器的等效模型
2.
The results identify that the process of conversion of vanadium oxides, convertion abides by the principle of reduction step by step.
对以五氧化二钒为原料制备碳化钒的工艺过程进行热力学分析,分析结果表明:钒氧化物在转化过程中遵循逐级还原理论;钒氧化物在碳化过程中,不转化为金属钒,直接转化为碳化钒;二氧化钒的碳化温度最低,为1018K,因此,在钒氧化物的转化过程中,应尽可能使其转化为二氧化钒。
3.
The authors have prepared vanadium oxide films by plasma-enhanced chemical vapor depostion (PECVD) and pulsed laser deposition (PLD).
鉴于氧化钒是应用于锂充电电池的最有希望的电极材料之一，采用等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）和激光溅射沉积法（ＰＬＤ），制备了不同的氧化钒薄膜，并研究了它们的电化学性质。
5) vanadium dioxide
二氧化钒
1.
Preparation techniques of vanadium dioxide nanopowders and thin films;
二氧化钒纳米粉体和薄膜的制备技术
2.
Fabrication of vanadium dioxide films at low temperature and researches on properties of the films;
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究
3.
Vanadium dioxide thin films depositing on ZnSe substrate and the component changed after annealing;
ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
6) VO_2
二氧化钒
1.
Preparing VO_2 Powder using Leach Solution of Vanadium Slag;
采用钒渣浸出液制备二氧化钒粉末
2.
Influence of Annealing Temperature on Infrared Transmittance of VO_2 Film
退火温度对二氧化钒薄膜红外透过率的影响
3.
A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) readout integrated circuit(ROIC) for the sensitive material of vanadium dioxide(VO_2) was introduced.
介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路(RO IC)。
补充资料：氧化钒锰
CAS：14986-95-9
分子式：Mn2V2O7
中文名称：氧化钒锰
英文名称：Manganese vanadium oxide；Manganese pyrovanadate；manganese vanadium oxide
分子式：Mn2V2O7
中文名称：氧化钒锰
英文名称：Manganese vanadium oxide；Manganese pyrovanadate；manganese vanadium oxide
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条