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1)  vanadium hydroxide
氢氧化钒
2)  ammonium oxovanadium (Ⅳ) carbonato hydroxide
铵氧钒碳酸氢氧化合物
3)  vanadium hydride
钒氢化物
1.
The electronic structure of vanadium hydride VH2 is calculated by a quantum chemical method (SCC-DV-Xα).
利用电荷自洽离散变分Xα(SCC-DV-Xα)方法计算了钒氢化物VH2的电子结构,发现钒氢化物VH2中V总是带正电,而H总是带负电,V的净电荷在+0。
4)  vanadium oxide
氧化钒
1.
Equivalent model for vanadium oxide thin film uncooled infrared detector;
氧化钒热敏薄膜非致冷红外探测器的等效模型
2.
The results identify that the process of conversion of vanadium oxides, convertion abides by the principle of reduction step by step.
对以五氧化二钒为原料制备碳化钒的工艺过程进行热力学分析,分析结果表明:钒氧化物在转化过程中遵循逐级还原理论;钒氧化物在碳化过程中,不转化为金属钒,直接转化为碳化钒;二氧化钒的碳化温度最低,为1018K,因此,在钒氧化物的转化过程中,应尽可能使其转化为二氧化钒。
3.
The authors have prepared vanadium oxide films by plasma-enhanced chemical vapor depostion (PECVD) and pulsed laser deposition (PLD).
鉴于氧化钒是应用于锂充电电池的最有希望的电极材料之一,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)和激光溅射沉积法(PLD),制备了不同的氧化钒薄膜,并研究了它们的电化学性质。
5)  vanadium dioxide
二氧化钒
1.
Preparation techniques of vanadium dioxide nanopowders and thin films;
二氧化钒纳米粉体和薄膜的制备技术
2.
Fabrication of vanadium dioxide films at low temperature and researches on properties of the films;
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究
3.
Vanadium dioxide thin films depositing on ZnSe substrate and the component changed after annealing;
ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
6)  VO_2
二氧化钒
1.
Preparing VO_2 Powder using Leach Solution of Vanadium Slag;
采用钒渣浸出液制备二氧化钒粉末
2.
Influence of Annealing Temperature on Infrared Transmittance of VO_2 Film
退火温度对二氧化钒薄膜红外透过率的影响
3.
A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) readout integrated circuit(ROIC) for the sensitive material of vanadium dioxide(VO_2) was introduced.
介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路(RO IC)。
补充资料:氢氧化钒
分子式:
CAS号:

性质:钒的氢氧化物。已知有+2价,+3价氢氧化物。+4价、+5价以水合氧化物存在。氢氧化钒(II),V(OH)2褐色沉淀。极易被氧化。纯品未得到。溶于盐酸,不溶于氢氧化钠、氢氧化钾。可由钒(II)与碱作用制得。氢氧化钡(III),V(OH)3绿色胶状沉淀。不稳定。吸收空气中的氧气而被氧化。可由三氯化钒与氨水作用得氧化物的水合物,VO2·xH2O。氢氧化钒(IV),以水合物存在。具有两性,酸性比钒(V)酸弱。溶于酸生成钒(V)盐。溶于碱生成钒(IV)酸盐。V2O5·xH2O为氢氧化钒(V)的存在形式。含水量难以确定。具有两性。通常称钒酸。用于制取各种钒化合物,其中五氧化二钒可用于制硫酸钒催化剂。

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参考词条