1) stress of surface and interface
表面和界面应力
4) surface and interfacial characterization
表面和界面表征
5) interface stress
界面应力
1.
Theory calculate and finite element analysis of the interface stress in concrete beams strengthened by GFRP;
玻璃钢板加固既有混凝土梁界面应力分析
2.
Based on the displacement function solution for plane issue in elastic mechanics, the common solutions of interface stress and displacement in multilayer coatings system are deduced by Fourier transformation, so that an effective and simple algorithm to calculate interface stress of coatings is obtained.
基于弹性力学平面问题的位移函数解法,运用Fourier积分变换推导了多层涂层体系界面应力及位移分量的一般解,得到一种高效、简便的涂层界面应力计算方法。
3.
As size of low dimensional materials decreases, which leads to the dramatic increase of surface/volume ratio, their properties are essentially controlled by related interface energetic terms, such as interface energy and interface stress.
随着低维材料尺寸的减小,表面体积比急剧增加,界面能和界面应力对材料性能的影响显著增加。
6) Interfacial stress
界面应力
1.
The finite element analysis(FEA) of the interfacial stress distribution during the tension of CaCO_3-filled polypropylene(PP) composite was carried out using the ANSYS software.
应用ANSYS软件对碳酸钙粒子填充聚丙烯(PP)复合材料在拉伸过程中的界面应力分布进行了有限元分析,并将三维与二维的有限元模拟结果加以比较。
2.
As a result, interfacial stress is obviously reduced by Al layer.
当Al2O3层与Al层的厚度相等时,Al2O3／Al界面处的剪应力最小;FeAl层对表面应力和界面应力影响较小。
3.
The problem of interfacial stress maxima varying with shape of inclusions was solved accurately.
对于硬夹杂与软基体的复合材料 ,考虑夹杂间的相互影响 ,采用坐标变换和复变函数的依次保角映射方法 ,构造任意分布且相互影响的多个椭圆形刚性夹杂模型的复应力函数 ,同时满足各个夹杂的边界条件 ,利用围线积分将求解方程组化为线性代数方程组 ,推导出了在无穷远作用均匀拉应力 ,椭圆形刚性夹杂任意分布的界面应力表达式。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条