1) recombination of surfaces and interfaces
表面和界面复合
3) surface and interfacial characterization
表面和界面表征
4) compounded interface
复合界面
1.
The Electrodeposited coating can eliminate the compounded interface of accumulative roll-bonding;the paper gives a elementary analysis of the theory about the compounded processor.
控制电解沉积过程在纯铜的表面制得宏观上致密、光滑的铜镀层,以此镀层来消除叠轧金属层间的复合界面;对此镀层消除叠轧金属层间复合界面的机理进行初步的分析;并应用有限元软件对轧制过程进行计算机模拟分析,验证提出的机理;得出镀层材料塑性变形程度大,有利于消除金属层间复合界面;镀层不引起界面处塑性变形热效应的明显变化。
2.
According to different experimental conditions, the successfully compounded interfaces were carefully compared with each other and analyzed by microscopy.
通过正交设计实验优化得到了高碳高铬钢、含铬灰铸铁的最优成分;采用卧式悬臂离心实验机对高碳高铬钢/含铬灰铸铁进行离心复合·在复合成功的基础上,利用金相显微镜对不同实验条件下的复合界面进行了对比、分析·结果表明:经离心复合铸造,高碳高铬钢/含铬灰铸铁复合界面为结合紧密的复合层;复合试样经1080℃保温1h,水淬+500℃回火1h处理后,复合界面碳化物扩散更充分,但对复合界面宽度没有影响;浇注温度提高,复合界面宽度增加,当高碳高铬钢液浇注温度由1460℃提高到1480℃时,复合界面宽度增加了100μm
5) interface
[英]['ɪntəfeɪs] [美]['ɪntɚ'fes]
复合界面
1.
The results manifest that the microstructures of Al - steel interfaces change little at temperature below 350℃,and Fe - Al intermetallic compounds form on the interfaces while the temperature over 400℃.
结果表明,在350℃以下温度加热复合界面基本上无变化,而在400℃以上温度加热复合界面上有FeAl金属间化合物生成,且化合物层的厚度逐渐增大;界面结合强度随加热温度升高呈下降趋势;350℃以上温度加热后,侧弯曲角度均达不到90°即发生界面开裂;高温拉脱强度在350℃时已降至爆炸态的10％以下。
2.
The change in the Cu-Al interface was investigated by adopting different annealing technologies.
研究了铜铝复合薄板轧制厚比的变化规律,并通过不同的退火工艺,研究了铜铝轧制复合界面变化过程。
6) compound interface
复合界面
1.
The new development of compound interface was summarized fform componential variation, microstructure and mechanical capability about high speed steel and cast iron cladding interface.
综述了液固双金属复合材料的研究现状,从复合界面成分变化、显微组织、力学性能方面介绍了高速钢和高铬铸铁复合界面研究的新进展,阐述了界面结合机制,并对今后研究提出建议。
2.
Compound interface of waterfront have multidimensional extension, including the interface grow to the two-way depth of urban space and natural water areas, the last and development on the degree in time, and influence on a lot of aspects in urban area, such as geography , humanity history , social economy , climate , people s behavior.
城市滨水复合界面存在着多维的延展,其中包括滨水界面向城市空间和自然水域的双向纵深生长,在时间维度上历时性与共时性的演变,以及在城市区域地理、人文历史、社会经济、生态气候和人的活动多个层面上的影响和表现。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条