1) surface-interface effect
表面界面效应
2) surface/interface effect
表/界面效应
4) interfacial effect
界面效应
1.
Both the interfacial effect of solid-liquid and gas-liquidcan influence the heat transfer characteristic.
冷凝传热特性受固-液和气-液界面效应影响较大；固液界面效应改变了冷凝液的形态，使常规膜状冷凝变为高效的滴状冷凝；气液界面效应是利用表面构型实现液膜减薄、促进冷凝液排放或利用冷凝液动态作用强化气相传质扩散。
2.
In this paper, six wollastonite fillers with different kinds of surfaces characteristics were designed to modify properties of polypropylene and the effects on the mechanics performance, interfacial effect and crystallizing behavior of composite material were studied.
本论文研究设计了六种硅灰石填料对聚丙烯进行填充改性,研究了不同表面特性的硅灰石对聚丙烯力学性能、界面效应和结晶行为等的影响。
5) interfacial effects
界面效应
1.
The tensile strength and the area under the tensile stress-strain curve were studied to understand the interfacial effects and percolation behavior induced by the polymer grafted nanoparticles.
本文分析了聚苯乙烯辐射接枝纳米二氧化硅粒子(SiO_2-g-PS)填充PP的拉伸强度和拉伸曲线下的面积,并从复合材料中的界面效应和逾渗行为的角度对此类复合材料的力学行为进行了理论解释。
6) Interface effect
界面效应
1.
Research of soil-layer interface effect in cone penetrafion test;
静力触探中土层界面效应试验研究
2.
Based on the result of a simulation test,this paper analyses the interface effect ofstrata after underground mining and studies the relation between the quantity of interface slipand the location of a working face to observation points and supercritical or subcritical mining, etc.
根据相似材料模拟试验结果，分析了地下开采后岩体移动的界面效应，研究了界面滑移量与工作面位置、采动程度等的关系，获得了界面滑移函数，为岩体内部移动计算提供了理论基础。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条