1) carbon δ-doping
碳δ掺杂
2) doped LaCoO3-δ
掺杂LaCoO3-δ
3) δ-doping
δ掺杂
1.
The effect of δ-doping in n-type layers on crystal performance of GaN epitaxial films on Si substrates was studied by ω-scan of different crystal planes with X-ray diffraction method.
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。
4) Zinc δ doping
锌δ掺杂
5) δ-doped
δ掺杂
1.
Our results for Si δ-doped GaAs indicate that all the Si peaks of SIMS depth profile show asymmetric broadening and surface segregation increases with growth temperature,however,which are not influencing the diffusion of Si atoms.
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。
2.
We report photoluminescence studies of internal transitions of shallow Be acceptors in bulk GaAs and a series of δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum w ell samples with well width ranging from 3 to 20nm.
报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光。
6) δ-doping RITD
δ掺杂RITD
补充资料：含不饱和碳碳键聚合物
分子式：
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条