1) doped ZrO 2 materials
掺杂ZrO2材料
1.
Compositional dependence of conductivity in the Y 2O 3 and Yb 2O 3 co doped ZrO 2 materials in the temperature range of 573～873K was studied by means of the complex impedance technique.
采用交流复阻抗技术对 (Y2 O3,Yb2 O3)复合掺杂ZrO2材料在 5 73～ 873K这一温度范围的离子电导率随组成的变化关系进行了研究 ,发现在ZrO2 Y2 O3 系统中加入Yb2 O3 会使得材料在中低温区域电导率降低。
3) doped material
掺杂材料
4) ZrO2 doping
ZrO2掺杂
5) Fe-doped ZrO2
铁掺杂ZrO2
6) dopant material
掺杂剂材料
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
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参考词条