1) samamnium doped calcium tungstate
掺杂材料钨酸钙
2) calcium , ( beta-4)-tungstate (wo42-lead-doped
掺杂铅的(T-4)-钨酸钙
4) doped material
掺杂材料
5) doped ZrO 2 materials
掺杂ZrO2材料
1.
Compositional dependence of conductivity in the Y 2O 3 and Yb 2O 3 co doped ZrO 2 materials in the temperature range of 573～873K was studied by means of the complex impedance technique.
采用交流复阻抗技术对 (Y2 O3,Yb2 O3)复合掺杂ZrO2材料在 5 73～ 873K这一温度范围的离子电导率随组成的变化关系进行了研究 ,发现在ZrO2 Y2 O3 系统中加入Yb2 O3 会使得材料在中低温区域电导率降低。
6) dopant material
掺杂剂材料
补充资料：掺杂
分子式：
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条