1) CO 2 laser irradiation
等离子体激励式化学气相沉积
2) plasma chemical vapor deposition
等离子体化学气相沉积
1.
Influence of discharge current on hot cathode plasma chemical vapor deposition of diamond films;
放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响
2.
Effect of plasma chemical vapor deposition parameters on electron property in Ar plasma;
等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响
3.
The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow discharge plasma chemical vapor deposition process was discussed.
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系。
3) PCVD
等离子体化学气相沉积
1.
DEPOSITION THEORY OF THIN HARD PCVD COATINGS;
等离子体化学气相沉积(PCVD)硬质膜成膜理论
2.
Si B N composite films had been prepared at proper processing parameters by RF PCVD.
使用工业射频等离子体化学气相沉积 (RF -PCVD)设备 ,通过控制合理的工艺参数 ,在不同的基体负偏压下 ,分别制备出了Si B N非晶以及含有h BN、c BN显著结晶相的Si B N复合薄膜。
3.
SnO 2 Sb thin film is prepared with PCVD The film possesses better gas sensitivity When temperature rises, the response time maintains almost the same but the recovery time reduces and the sensibility gets higher When the temperature reaches 200℃ or more, the sensitivity maintains stable The difference between the sensibility of the resistors of different resistance is small (4 refs
利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。
6) plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体化学气相沉积
1.
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is the primary method which is used to prepare hydrogenated silicon film.
等离子体化学气相沉积技术制备氢化硅薄膜工艺条件成熟稳定而成为薄膜制备的首选方法。
2.
This review will describe the deposition methods, properties and some applications of DLC films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
这篇综述介绍了用等离子体化学气相沉积DLC膜的沉积方法、所制备薄膜的性能及应用,最后展望了DLC膜的发展趋势。
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条