1) thin silicon foil
Si平面薄膜
1.
Boron impurity in thin silicon foils influences on the property of thin silicon foils.
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。
2.
The preparation process of thin silicon foil used to study the spatial nonuniformity in the laser driven intensity was introduced.
介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对 Si片的定向自截止腐蚀 ,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑 Si平面薄膜的工艺。
3) Si/Al/Si film
Si/Al/Si薄膜
4) Si/Fe/Si film
Si/Fe/Si薄膜
1.
A sandwich-type Si/Fe/Si film was deposited on Cu foil by magnetron sputtering.
采用磁控溅射法在铜箔集流体上沉积得到了具有“三明治”结构的Si/Fe/Si薄膜。
5) Fe/Si thin film
Fe/Si薄膜
6) Ta_2O_5/Si thin film
Ta_2O_5/Si薄膜
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条