1) preparation of YBa_2Cu_3O_7 thin films
YBa2Cu3O7超导薄膜制备
2) high Tc super conducting thin YBa 2Cu 3O 7 film
高温超导YBa2Cu3O7薄膜
3) YBa2Cu3O7 film
YBa2Cu3O7薄膜
1.
The test results show that,YBa2Cu3O7 film acts exactly when the short - circuit current reaches critical current Ic and limit it below 2 Ic within 0.
针对直流电力系统短路电流分断困难的问题,提出了基于YBa2Cu3O7薄膜的电阻型超导故障限流器(SFCL)保护方案,设计了300V/200A的SFCL模型机。
4) YBa 2 Cu 3 O 7-δ superconducting films
YBa2Cu3O7-δ薄膜
1.
YBa 2 Cu 3 O 7-δ superconducting films were prepare d on SrTiO 3 (001)single crystal substrates by pulse l aser ablating melt-textured target.
结果表明,薄膜呈c轴取向,薄膜中产生了一定数量的颗粒状Y2O3杂相,且具有择优取向,而靶材中所含的Y2BaCuO8相却没有在薄膜中形成,沉积温度升高,有利于犤001犦取向的Y2O3的形成,但不利于犤111犦取向Y2O3的形成,与传统的粉末烧结靶相比,用熔融织构靶制备YBa2Cu3O7-δ薄膜可以明显抑制薄膜表面颗粒的形成。
5) YBa 2Cu 3O 7-δ superconductor
YBa2Cu3O7-δ超导体
6) superconducting thin film
超导薄膜
1.
Microwave properties of YBCO/LAO and YBCO/MgO superconducting thin films;
YBCO/LAO和YBCO/MgO超导薄膜的微波性质
2.
Effect of Tl_2O partial pressure on component phases and properties of Tl_2Ba_2CaCu_2O_8 superconducting thin films fabricated at lower temperature in pure argon atmosphere;
低温纯Ar气中Tl_2O分压对Tl_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜相组成与性能的影响
3.
High T_c superconducting thin film of YBa_2Cu_3O_(7-x) and Zro_2 buffer layer have been de-posited in situ on(100)silicon substrate with excimer laser.
利用ＺｅＣｌ准分子激光在（１００）Ｓｉ基片上原位淀积出ＺｒＯ＿２缓冲层和ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｘ）高Ｔ＿ｃ超导薄膜，薄膜的零电阻温度为８２Ｋ。
补充资料：半导体薄膜的制备
半导体薄膜的制备
preparation of semiconductor thin films
半导体薄膜的制备preparation。f semieondue-tor thin films在任何衬底上，生长多晶、微晶及非晶薄膜的技术。一般生长温度均比外延的要低。最常用的方法是化学气相沉积(CVD)。CVD又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子增强CVD(PECVD)和光CVD(PCVD)等方法。其淀积温度按上列次序而递减(在900一100℃范围内变化)。淀积压力可从常压到7 Pa。反应能可用热能、辉光放电能、光能提供。在实际应用中，淀积的薄膜必须满足下列要求:膜厚均匀，薄膜的结构和成分是可控的，制备上可重复的，价廉，容易实现自动化和安全生产。 对具有很小尺寸的超大规模集成电路(VLSI)器件要求精密的光刻，有各向异性的图形转换和很浅的结。这些条件对淀积薄膜工艺提出了新的要求，主要是淀积温度低，以防止浅结的移动;在各向异性腐蚀的表面上有保持图形的台阶覆盖，使其工艺诱发缺陷低以及生产效率高。按上述要求，CVD方法中，以LPCVD法为最好，因其温度适中，薄膜按化学比组成，均匀性好，损伤小，生产效率高。 半导体薄膜广泛用于集成电路中。其中氮化硅膜有抗氧化能力，可用来实现器件的等平面结构;还有抗Na离子和抗潮性能，借以作为电路的表面保护。氧化硅膜用来作为栅介质和绝缘介质。多晶硅膜可用硅烷在600一650℃热分解得到，多晶硅膜可用作金属一氧化物-半导体(MOS)器件的栅电极、多层布线的导电层和浅结器件的接触材料。多晶硅通常在无掺杂下淀积，AS、P或B等掺杂元素随后用扩散、离子注入的方法引入。非外延薄膜除了在集成电路中应用外，非晶硅膜广泛用于太阳电池制作，非晶硅是用硅烷在低温下热分解得到(见非晶硅制备)。(汪师俊)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条