补充资料：水平区熔法生长单晶

水平区熔法生长单晶
tal zone erystal growth by horizon-melting method

沿锭条分布均匀。 1953年W.范等建立水平区熔法生长锗单晶的装置。盛有Ge的石墨舟置于石英管内，用感应加热形成熔区，熔区沿籽晶移动生长成单晶。现己实现工业化生产。 1960年里查兹(Richards)为适应具有挥发性组分的GaAs晶体的特点，采用水平两温区区熔法生长GaAs单晶。由电阻加热，保温炉形成熔区，低温端是控制砷压的温区;Ga和As熔封在反应管内，当达到反应温度时，As挥发到Ga端化合，再以较快速度移动熔区一次，使化合更充分;然后用缓慢的速度(一10mm/h)从籽晶端向前移动熔区以生长单晶。经过多年实践与改进，水平区熔法生长GaAs单晶发展为多段加热的三温区区熔法(图2)。与两温区炉相比，熔区两侧的温度得到提高，这样有利于单晶生长和提高单晶质量( ┌─┬─┬─┬─┬─┐ │重│ │报│ │里│┌─┐┌─┐│ │ │ │ │ ││U ││曰││ │ ├─┤ │ ││ ││ ││ │ │ │ │ ││ ││ │└─┴─┴─┼─┼─┘│ ││ │ │巴│ │ │└─┘ └─┘ └─┘ 图2三温区炉示意图1调节架2石英反应管3高中温炉管4石英舟5 GaAS锭料6炉头保温炉7高温测点8高温保温炉9观察孔10中温测点H中温保温炉12低温炉13低温热电偶14支承瓷套管 (罗梓贤)水平区熔法生长单晶erystal盯owth by horizon-tal Zone melti眼method利用水平区熔法原理制备单晶的方法。属熔体生长的一种。1952年W.G.范(Pfann)发明区域熔化法，主要用于材料提纯，也可用于生长单晶。而简单的一次区域熔化具有区熔匀平的作用。当一个熔区通过一个起始浓度均匀的锭料时，在两端产生浓度不均匀的区域，而在中间相当大的部位有一个浓度平坦均匀的区域，其浓度分布见图1。其初始区和平坦区与W.T.里德(Read)所推导的方程表示的曲线相符。方程为二=(1一k)e一”x‘L吻式中c为锭料浓度，c0为平均浓度，k为一系数，L为锭料长度。最后一个熔区符合一次定向结晶分布故此法┌──────┐│‘/。化·达 │├──────┤│尽汪 │└──────┘ C!勺拐经匈处 距离x~图l一具有均匀的平均浓度c。约原料， 溶质的近似浓度分布经过一个熔区后

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