1) two gap
双能隙
1.
The isotope effect, the temperature dependent resistivity and thermopower effect , two gap ,especially the effect of element doping on the superconductivity of MgB2 are introduced.
简要介绍了MgB2超导体的同位素效应、ρ-T特性、S-T特性、双能隙,着重论述了元素掺杂对其超导电性的影响,指出其作为一种新型低成本高性能的超导材料具有广泛的应用前景。
2) two-gap superconductor
双能隙超导体
3) two-proton(two-neutron) separation energy gaps
双质子(双中子)分离能隙
4) Energy gap
能隙
1.
A DFT study on structure,energy gap and spectrum property of the conjugated polymer poly(2,5-furylene vinylene);
2,5-呋喃乙烯撑齐聚物(n=1～x)的结构能隙与光谱性质的理论研究
2.
The determining method for energy gap and energy-band parameters of conducting polymers;
导电聚合物发光材料能隙和能带参数的确定方法
3.
Study on specific heat and two energy gaps of MgB_2 samplesprepared by ambient pressure and high pressure;
常压和高压合成MgB_2的低温比热及两个超导能隙研究
5) Band gap
能隙
1.
PAS is a semiconductor material with quite small band gap and good pristine electric conductivity.
从聚并苯的能带结构可以得出：聚并苯是有较小能隙、良好本征导电性能的半导体材料，考虑链间作用，对能带结构特征未有大的改变，能隙等值略有修正，导电能力有所加强。
2.
7, which showed different band gap values.
7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同。
3.
The results indicate that, with compressibility increasing , the width of band gap becomes wider,and that the interaction between Fe d electrons and S p electrons is stronger,and length of Fe-S bond becomes shorter.
计算结果表明 :随着压缩度的增加 ,外压调制下的Fe—S键长缩短 ,FeS2 小的能隙变宽 ,Fe的d电子与S的 p电子杂化增强 ,原子间相互作用增大。
6) Bandgap
['bændɡæp]
能隙
1.
A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference;
一种高精度CMOS能隙基准电压源
2.
A new low-voltage bandgap voltage reference was presented.
介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic0。
3.
Based upon analysis of several type s of bandgap voltage reference circuit, we demonstrate a high precision circuit of bandgap voltage reference with relatively simple structure for high-speed se rial link.
在分析了几种基准电压源的基础上 ,设计并实现了一种高精度用于高速串行通信接口的 CMOS能隙基准电压电路。
补充资料：BCS能隙方程（BCSenergygapequation）
BCS能隙方程（BCSenergygapequation）
在通常情况下，BCS理论定义对势
Δ=-V〈ψ(r,↓)ψ(r,↑)〉
有能隙存在时它代表超导能隙，ψ为场算符，在弱耦合条件下（`N(0)V\lt\lt1`）给出的能隙方程为
$1=N(0)Vint_0^{\hbar\omega}(\epsilon^2 \Delta^2(T))^{-1/2}$
$*th[(\epsilon^2 \Delta^2(T))^{1/2}//2k_BT]d\epsilon$
式中N(0)为T=0K时费米面上一种自旋方向的态密度，V为电子间净吸引势的平均强度，$\hbar$和ωD分别是除以2π的普朗克常数和德拜频率，ε是以费米面为零点的电子能量，kB为玻尔兹曼常数。数值计算的Δ(T)与T的关系见下图，它与多数超导金属的实验结果符合甚好。
在T→Tc和T→0K时的近似结果为：
$\Delta(T)=\Delta(0)-(2\pi\Delta(0)k_BT)^{1/2}*e^{-\Delta(0)//k_BT}$
$(T\lt\ltT_c)$
$\Delta(T)=(1.74)\Delta(0)(1-T//T_c)^{1/2}$
$(T_c-T)\lt\ltT_c$
这里
$\Delta(0)=2\hbar\omega_Dexp(-1//N(0)V)$
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条