1) inelastic dynamic history analysis
非线性时程反应
1.
The target displacements of four middle and low frame concrete structures in different types of site estimated by improved capacity spectrum method and inelastic dynamic history analysis are compared and analyzed.
本文阐述了Pushover分析中改进能力谱方法的概念和实施步骤;对不同场地条件下四个中、低层框架结构采用改进能力谱方法估计的目标位移和非线性时程反应分析结果进行了比较,分析,并提供了不同场地条件下两种方法的相对误差,为该方法的实际应用提供了一些参考依据。
3) nonlinear reaction-diffusion equations with time delays
非线性时滞反应扩散方程
1.
Many models in various field of applications, such as biology, ecology and biochemistry, can be described by nonlinear reaction-diffusion equations with time delays.
生物学、生态学、生物化学等应用领域中的许多模型都可以用非线性时滞反应扩散方程来描述。
4) nonlinear reaction-diffusion equation
非线性反应扩散方程
1.
Blow-up behavior of solutions for nonlinear reaction-diffusion equations;
非线性反应扩散方程解的Blow-up问题
2.
Generalized conditional symmetry of nonlinear reaction-diffusion equation;
非线性反应扩散方程的广义条件对称
3.
A finite difference scheme is proposed for solving nonlinear reaction-diffusion equations.
该文建立了一个用于求解非线性反应扩散方程的有限差分格式,给出了一个单调迭代方法用于求解所导致的离散问题,讨论了有限差分格式的收敛性,数值结果显示了该方法的优越性。
6) Nonlinear reaction
非线性反应
1.
The static elastoplastic analysis method has become a popular tool to evaluate the nonlinear reaction of the building structure under the seismic action in recent years because of its simple and useable characteristics.
静力弹塑性分析方法由于其简明实用的特点,已经成为近年来评估地震作用下建筑结构非线性反应的普遍方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条